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江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年，是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业、江苏省创新型企业、中国半导体协会会员单位、中国电器工业协会电力电子分会先进会员单位。公司建有“江苏省企业技术中心”、“江苏省工程技术研究中心”。
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江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年，是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业、江苏省创新型企业、中国半导体协会会员单位、中国电器工业协会电力电子分会先进会员单位。公司建有“江苏省企业技术中心”、“江苏省工程技术研究中心”。公司具备一流的技术创新能力、良好的市场信誉和业务网络，是国内电力半导体器件领域中，晶闸管器件及芯片方片化IDM（整合元件制造商，即覆盖了整个芯片产业链，集芯片设计，制造和封装测试一体）的半导体厂商。公司“捷捷”牌产品已销往日本、韩国、西班牙、新加坡、台湾等国家和地区，可靠的质量得到了用户的充分肯定。
企业现有注册资金179，742，660元。公司主导产品为（0.6～110）A/600-1600V双向可控硅、（0.8～250）A/600-2200V单向可控硅、低结电容放电管、TVS等各类保护器件、高压整流二极管、功率型开关晶体管。公司拥有五条半导体功率器件产品线。
1.φ4英寸可控硅器件芯片生产线，主导产品：（0.6～110）A/600-1600V双向可控硅（TRIACs），（0.8～250）A/600-2000V单向可控硅（SCRs），功率型开关晶体管，达林顿晶体管；
2.φ4英寸防护器件芯片生产线，主导产品：低结电容放电管、高压触发二极管、TVS、ESD等各类防护器件；
3.φ4英寸快恢复二极管器件芯片生产线，主导产品：快恢复二极管、高压整流二极管等；
4.三极体器件封装和测试生产线，器件封装形式：TO-92、SOT-23-3L、SOT-89、SOT-223、DPAK、iPAK、D2PAK、TO-220A insulated、TO-220B、TO-220C、TO-220F、TO-247、TO-247 Super、TO-P3 insulated等。
5.二极体器件封装和测试生产线，器件封装形式：SMA、SMB、SMC、SOD123、SOD323、SOD523等。
公司先后通过ISO9001：2008质量管理体系、ISO14001：2004环境管理体系、OHSAS18001职业健康安全体系、QC080000有害物质过程管理体系认证，目前正在推行ISO/TS 16949。产品符合UL电气绝缘性要求、RoHS环保要求、Reach化学品注册、评估、许可和限制要求、无卤化等要求。
“边门极结构的高压大电流单向晶闸管器件芯片”、“台面工艺结构可控硅芯片”、“具有150℃高结温性能双向晶闸管芯片”等18个产品被评定为江苏省高新技术产品；“低结电容过压保护晶闸管器件” 获得南通市科学技术进步二等奖、“新型门极灵敏触发单向可控硅芯片”获得南通市科学技术进步三等奖。
公司自成立以来，一直从事半导体分立器件、电力电子器件的研发、生产和销售。企业在大力开展技术创新的同时，非常注重自主知识产权的创造与保护工作。公司现共获得授权专利53项，其中发明专利15项，实用型新专利37项；外观专利1项。公司拥有江苏省高新技术产品19项。
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| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| JMPL1050AK-13 | MOSFETs P-沟道 100V 30A TO252 |
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|
| JMTK060N06A | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):181W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,30A; |
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|
|
| JMSH0805AE-13 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):121A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):39.7nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):2.451nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):18pF@40V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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|
|
| JMTE3002B | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.95mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.93nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):566pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
获取价格
|
|
| JMSH1004AE | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):66nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):4.398nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@50V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
获取价格
|
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