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ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

皇华ameya 来源:年轻是一场旅行 作者:年轻是一场旅行 2025-06-05 13:15 次阅读
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~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻,被全球知名云平台企业认证为推荐器件~

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)于6月3日宣布,开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。

RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET,预计该尺寸产品未来需求将不断增长,可以轻松替代现有产品。另外, 新产品同时实现了更宽SOA范围*3( 条件:VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低导通电阻(RDS(on))*4,由此既可确保热插拔(电源启动)工作时的更高产品可靠性,又能优化电源效率,降低功耗并减少发热量。

为了兼顾服务器的稳定运行和节能,热插拔电路必须具有较宽的SOA范围,以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路,与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A,实现业界超优性能,能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。

RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET,并且实现了更低导通电阻,从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ ,而RY7P250BM 的导通电阻则降低了约18% —— 仅有1.86mΩ ( 条件: VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。

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与此同时,RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件,预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中,RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。

新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格800日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHMCo., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过电商平台均可购买。

未来,ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容,通过提供效率高且可靠性高的解决方案,为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。

<开发背景>

随着AI技术的飞速发展,数据中心的负载急剧增加,服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及,如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求,一直是个难题。在此背景下,相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外, 在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中, 需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的 MOSFET,以防止浪涌电流*5和过载时造成损坏。新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻,有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷,从而提升服务器的可靠性并实现节能。

<产品主要特性>

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<应用示例>

・AI(人工智能)服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路

・工业设备48V系统电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)

・AGV(自动导引车)等电池驱动的工业设备

・UPS、应急电源系统(电池备份单元)

<电商销售信息>

发售时间:2025年5月起

新产品在其他电商平台也将逐步发售。

产品型号:RY7P250BM

<关于EcoMOS™品牌>

EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。

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・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

<术语解说>

*1)功率MOSFET

适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前,通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品,相比Pch MOSFET,具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。

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*2)热插拔电路

可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成,负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护,从而确保系统和所连接元器件的安全工作。

*3)SOA(Safe Operating Area)范围

元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏,特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中,需要考虑SOA范围。

*4)导通电阻(RDS(on))

MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。该值越小,工作时的损耗(功率损耗)越少。

*5)浪涌电流(Inrush Current)

在电子设备接通电源时,瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷,所以通过控制浪涌电流,可防止设备损坏并提高系统稳定性。

审核编辑 黄宇

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