龙腾半导体推出超高压950V超结SJ MOS平台

随着高效能、紧凑型电源系统的需求日益增长，传统平面MOSFET已逐渐难以满足高压低损耗的要求。龙腾半导体自主开发的超高压950V超结SJ MOS平台，采用先进的多次外延结构设计，在保证高耐压的基础上，有效减少器件内部的寄生电容，进一步优化开关过程中的能量损失。与传统的PN结结构相比，这种新型结构能够有效减小漏电流，提高器件的热稳定性和抗电场能力，确保在高压条件下的可靠性。满足LED照明电源、适配器、模块电源、植物照明电源等高压中功率领域的需求。

龙腾 950V 超结MOS

采用多次外延工艺，通过精准堆叠外延层并优化掺杂分布，实现电荷平衡与电场均匀性的大幅提升，赋予产品三大核心优势：

极低导通损耗

Rsp（比导通电阻）较国际竞品降低22.3%，显著减少导通损耗，可在植物照明电源中实现更高能效。

超快动态性能

FOM(Qgd)优化14.5%，开关损耗（Eon/Eoff）分别降低18.5%和43.1%，助力高频电源设计简化。

卓越可靠性

Trr（反向恢复时间）缩短13.6%，减少开关噪声，提升系统稳定性；同时，多次外延工艺增强了器件耐压能力，支持950V高压场景下的长期稳定运行。

关键参数	龙腾G1 950V SJ	国际竞品S 950V	提升幅度
Rsp	更优	基准值	↓22.3%
FOM(Qgd)	更低	基准值	↓14.5%
Eon/ Eoff	更小	基准值	↓18.5%/ ↓43.1%
Trr	更短	基准值	↓13.6%
注：数据基于龙腾实验室实测， 实际性能因系统设计可能略有差异。

龙腾 SJ MOS 800V-950V推荐型号