ReRAM与NRAM将成全球存储市场两大黑马

在存储器的竞争格局中，除了FRAM，不得不提的另外两个产品是ReRAM和NRAM。简略地讲，FRAM 用于数据记录；ReRAM可替代大容量EEPROM；NRAM 用于数据记录和电码储存，还可替代NOR Flash。

今天，小编就为大家讲讲身怀绝技的 ReRAM 和 NRAM。

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小型化是趋势，论ReRAM的进化路线

ReRAM：可变电阻式随机存取存储器，是一种非易失性存储器，通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压，产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。

其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，这简化了制造工艺，同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。

富士通的 ReRAM产品易于写入操作，在写入操作之前，不需要擦除操作，并且拥有丰富的中密度存储线，涵盖4Mbit、8Mbit、32Mbit。同时，5MHz 的读出操作最大电流仅为0.5mA，远远低于同样条件的 EEPROM (3mA@5MHz)。

可穿戴设备和小型医疗设备一直是 ReRAM 的主要市场，为了使用可穿戴和医疗设备小型化和低功耗的要求，富士通的 ReRAM 的产品也将向小型化方向发展。

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速度比普通内存快1000倍，富士通押宝NRAM

BCC Research预计，全球NRAM市场将从2018年到2023年实现62.5%的复合年成长率(CAGR)，其中嵌入式系统市场预计将在2018年达到470万美元，到了2023年将成长至2.176亿美元，CAGR高达115.3% 。

作为一个比较“新”的产品，NRAM之所以能很快引起市场的注意，与NRAM独有的优势分不开——NRAM读写的速度比较快，读写耐久性比NOR Flash高于1000倍。具有高可靠性，一般80度可以存储数据达到1000年，300度时可达10年。同时还具有低功耗的特点。

目前，富士通与 Nantero达成协议，使用三重富士通的 300mm 晶圆，共同开发 55nm CMOS 技术的 NRAM。

高性能的 NRAM 在众多应用领域拥有明显的竞争优势：

可应用于任何系统：NRAM 不但是非易失性存储器，又具有与 DRAM 同等的高速操作。

可实现 instant on（即开即用）功能，降低功耗的同时提高了系统的性能。

适应于高温环境动作的逐渐增长的市场需求。

最后一张图了解富士通 NRAM的目标应用~