TPS28225-Q1 具有 4V UVLO 的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器数据手册

TPS28225-Q1 是一款高速驱动器，适用于具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。该驱动器经过优化，适用于各种大电流、单相和多相 DC-DC 转换器。TPS28225-Q1 效率高，解决方案尺寸小，EMI 辐射低。

TPS28225-Q1 器件提供高性能特性，例如 8.8V 栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 传播延迟以及大电流 2A 拉电流和 4A 灌电流驱动功能。较低栅极驱动器的 0.4-Ω 阻抗将功率 MOSFET 的栅极保持在其阈值以下，并确保在高 dV/dt 相节点转换时没有击穿电流。自举电容器由内部二极管充电，允许在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。
*附件：tps28225-q1.pdf

TPS28225-Q1 采用经济型 SOIC-8 封装和热增强型小尺寸 VSON 封装。该驱动器的额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C，绝对最高结温为 150°C。

特性

• 适用于汽车应用
• 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
• 宽栅极驱动电压：4.5 V 至 8.8 V，7 V 至 8 V 时效率最佳
• 宽电源系统输入电压：3 V 至 27 V
• 宽输入 PWM 信号：2V 至 13.2V 幅度
• 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
• 高频作：14ns 传播延迟和 10ns 上升或下降时间允许 F西 南部高达 2 MHz
• 能够传播 <30ns 输入 PWM 脉冲
• 低侧驱动器灌电流导通电阻 （0.4 Ω） 可防止与 dV/dT 相关的击穿电流
• 用于功率级关断的三态 PWM 输入
• 节省空间的使能（输入）和电源良好（输出）信号位于同一引脚上
• 热关断
• UVLO 保护
• 内部自举二极管
• 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
• 高性能替代流行的三态输入驱动器

参数

方框图

一、产品概述

• ‌型号‌：TPS5-Q
• ‌类型‌：汽车级高频4-A沉电流同步MOSFET驱动器
• ‌特点‌：
  • 专为汽车电子应用设计
  • 驱动两个N通道MOSFET，具有4-ns自适应死区时间
  • 宽栅极驱动电压范围：. V至8.8 V，最佳效率在7 V至 V
  • 宽输入PWM信号范围：2 V至3.2 V
  • 高频操作：传播延迟 ns，上升/下降时间 ns，支持高达2 MHz的开关频率
  • 低侧驱动器沉电阻（0.4 Ω）防止dV/dT相关的穿透电流
  • 三态PWM输入，用于功率级关断
  • 节省空间的使能（输入）和电源良好（输出）信号共用引脚
  • 热关断和欠压锁定（UVLO）保护
  • 内部自举二极管
  • 经济型SOIC-和热增强型-mm × 3-mm VSON-8封装

二、应用领域

• 多相DC-DC转换器（模拟或数字控制）
• 隔离点负载的同步整流
• 无线充电发射器

三、引脚配置与功能

• ‌UGATE‌：高侧栅极驱动源和沉输出
• ‌BOOT‌：自举供电引脚，连接自举电容
• ‌EN/PG‌：使能/电源良好输入-输出引脚
• ‌PWM‌：PWM控制输入
• ‌VDD‌：电源输入
• ‌GND‌：地
• ‌LGATE‌：低侧栅极驱动源和沉输出
• ‌PHASE‌：相位引脚，连接高侧MOSFET的源极和低侧MOSFET的漏极

四、电气特性

• ‌VDD工作范围‌：. V至8.8 V
• ‌输出电流‌：
  • UGATE源电流： A
  • UGATE沉电流： A
  • LGATE源电流： A
  • LGATE沉电流： A
• ‌传播延迟‌： ns
• ‌上升/下降时间‌： ns
• ‌死区时间‌：4 ns

五、保护功能

• ‌UVLO‌：欠压锁定，当VDD电压低于阈值时禁用输出
• ‌热关断‌：当结温超过°C时关断输出

六、典型应用

• 提供了在多相DC-DC转换器、同步整流和无线充电发射器中的典型应用电路
• 详细描述了设计要求和设计过程，包括布局指南、寄生电感影响等

七、布局指南

• 推荐将驱动器尽可能靠近MOSFET放置，以最小化寄生电感
• 推荐在VDD和GND之间放置低ESR陶瓷电容器
• 提供了布局示例，展示了如何优化PCB布局以提高性能

八、文档与支持

• 提供了相关技术文档、工具、软件和社区资源的链接
• 提供了静电放电警示和术语表

九、封装与可订购信息

• 提供SOIC-和VSON-8封装选项
• 提供了详细的封装尺寸、材料、引脚分配和可订购代码信息