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UCC27531-Q1 具有 8V UVLO、35V VDD 和分离输出的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器数据手册

科技绿洲 2025-05-20 09:42 次阅读
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UCC27531-Q1 是一款单通道、高速栅极驱动器,能够有效地 通过使用高达 2.5A 的拉电流和 5A 灌电流(非对称 drive) 峰值电流。非对称驱动中的强大灌电流能力增强了对寄生的抗扰度 Miller 开启效应。UCC27531-Q1 器件还可以具有分离输出配置,其中 栅极驱动电流通过 OUTH 引脚提供,并通过 OUTL 引脚吸收。此引脚 配置允许用户将独立的导通和关断电阻器施加到 OUTH 和 OUTL 引脚,并轻松控制开关转换速率。
*附件:ucc27531-q1.pdf

驱动器具有轨到轨驱动能力和极小的传播延迟 通常为 17 ns。

UCC27531-Q1 的输入阈值基于 TTL 和 CMOS 兼容的低电压逻辑, 它是固定的,独立于 VDD 电源电压。1V 典型迟滞可提供出色的 抗噪性。

驱动器具有具有固定 TTL 兼容阈值的 EN 引脚。EN 引脚位于内部 拉起;将 EN 引脚拉低可禁用驱动器,而将其保持打开状态可提供正常作。 EN 引脚可用作附加输入,具有与 IN 引脚相同的性能。

将驱动器的 input pin 保持打开状态,使 output 保持低电平。的 driver 显示在 Application Diagram、timing Diagram 和 Input and output logic truth 中 桌子。

VDD 引脚上的内部电路提供 UVLO 功能,将输出保持为低电平,直到 VDD 电源电压在工作范围内。

UCC27531-Q1 驱动器采用 6 引脚标准 SOT-23 (DBV) 封装。设备 可在 –40°C 至 140°C 的宽温度范围内工作。

特性

  • 适用于汽车应用
  • 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
    • 设备温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 低成本栅极驱动器(为驱动 FET 和 IGBT 提供最佳解决方案
  • 分立晶体管
    驱动的绝佳替代品(提供与控制器的轻松接口
  • TTL 和 CMOS 兼容输入逻辑
    阈值(与电源电压无关)
  • 分离式输出选项允许调谐导通
    和关断电流
  • 使用固定 TTL 兼容阈值启用
  • 在 18V VDD 时,具有 2.5A 的高拉电流峰值和 5A 灌电流峰值驱动
    电流
  • 10 V 至 35 V 的宽 VDD 范围
  • 输入和使能引脚能够承受高达
    地以下 –5V DC 的电压
  • 当输入悬空或在
    VDD UVLO 期间,输出保持低电平
  • 快速传播延迟(典型值为 17ns)
  • 快速上升和下降时间
    (1800pF 负载时,典型值为 15ns 和 7ns)
  • 欠压锁定 (UVLO)
  • 用作高侧或低侧驱动器(如果
    设计具有适当的偏置和信号隔离)
  • 低成本、节省空间的 6 引脚 DBV (SOT-23)
    封装选项
  • 工作温度范围为 –40°C 至 140°C

参数
image.png

方框图
image.png

1. 产品概述

  • 型号‌:UCC-Q1
  • 类型‌:.-A和-A,5-V MAX VDD FET和IGBT单栅极驱动器
  • 特点‌:
    • 适用于汽车应用,符合AEC-Q标准
    • TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值,独立于电源电压
    • 提供高达2.5-A源电流和5-A漏电流(非对称驱动)
    • 宽VDD范围:V至V
    • 输入和使能引脚可承受低至-V DC的电压
    • 输出在输入浮动时保持低电平
    • 快速传播延迟(典型值ns)
    • 欠压锁定(UVLO)功能
    • 可作为高侧或低侧驱动器(需适当偏置和信号隔离)
    • 低成本、节省空间的引脚DBV(SOT-3)封装

2. 应用领域

3. 电气特性

  • UVLO‌:
    • VDD启动阈值:约.V
    • 滞后电压:约.V
  • 输入特性‌:
    • 高电平输入阈值(VIN_H):.V至2.2V
    • 低电平输入阈值(VIN_L):.V至1.2V
    • 输入滞回:1V
  • 使能特性‌:
    • 使能高电平阈值(VEN_H):1.7V至.V
    • 使能低电平阈值(VEN_L):0.8V至.V
    • 使能滞回:.V
  • 输出特性‌:
    • 源峰值电流(ISRC):.A
    • 漏峰值电流(ISNK):5A
    • 输出高电平电压(VOH):接近VDD
    • 输出低电平电压(VOL):约0.5V至.V

4. 功能描述

  • VDD UVLO‌:在VDD电压低于UVLO阈值时,输出保持低电平。
  • 输入阶段‌:基于TTL和CMOS兼容的低电压逻辑,具有宽滞回以增强噪声免疫力。
  • 使能功能‌:EN引脚具有固定的TTL兼容阈值,内部上拉。拉低EN引脚可禁用驱动器。
  • 输出阶段‌:具有独特的输出结构,可在Miller平台期间提供高峰值源电流,增强对寄生Miller开通效应的免疫力。

5. 设备功能模式

  • 正常模式‌:输出状态取决于输入和使能引脚的状态。
  • UVLO模式‌:当VDD电压低于UVLO阈值时,输出保持低电平。

6. 应用与实现

  • 设计考虑‌:包括输入输出配置、输入阈值类型、VDD偏置电压、峰值源漏电流、使能功能、传播延迟和功率耗散等。
  • 典型应用‌:包括驱动IGBT(无负偏置)、驱动IGBT(带3V负关断偏置)以及在逆变器中使用UCC1-Q驱动器。

7. 电源推荐

  • 建议VDD使用1µF的旁路电容,以改善噪声滤波。

8. 布局

  • 布局指南‌:建议将驱动器尽可能靠近功率器件放置,以最小化高电流迹线的长度,并使用宽迹线和平行信号与返回迹线。
  • 热考虑‌:提供了热阻等热度量标准,以帮助评估散热性能。
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