芯长征SiC功率模块荣获2025金芯奖新锐产品奖

此前，2025年5月14日至15日，第十二届汽车电子创新大会（AEIF 2025）在上海盛大举行，这场盛会聚焦汽车电子产业的前沿技术与发展趋势，汇聚了众多行业专家、企业领袖以及创新产品。江苏芯长征微电子集团股份有限公司凭借自主研发的1200V 660A SiC塑封半桥模块（MPFFB660M12L3），获得大会专家评委会的高度认可，荣膺 “2025 汽车电子・金芯奖 —— 新锐产品奖”。

以点带面：MPFFB660M12L3 获奖，彰显芯长征碳化硅技术实力

作为芯长征2024年精心打造的SiC MOSFET模块，MPFFB660M12L3凭借其其先进的芯片设计以及优异可靠性表现，在新能源汽车和重卡领域大放异彩。

技术性能方面，该产品采用自主研发的第三代SiC MOSFET芯片技术，搭配先进的封装工艺，实现了多项性能指标的优化提升。实测数据显示，产品在开关损耗与市场同类产品相当的同时，高温导通损耗较市场同类产品降低约15%，能源转换效率表现优异。

芯长征的MPFFB660M12L3产品以低损耗、高出流能力和卓越可靠性等显著优势，完美契合了汽车及清洁能源市场对高性能功率半导体产品的严苛需求。

IGBT、SiC与β-Ga2O3并进，构建全方位功率器件产品布局

芯长征已量产国际主流MPT7 IGBT技术，并领先国际推出了第八代MPT8 IGBT技术，奠定了公司在该领域的坚实地位。

同时，芯长征正重点发展SiC产品，量产了G3代系芯片技术并完成G4代系技术布局，通过MPFFB660M12L3等明星产品，不断提升碳化硅技术的市场影响力。此外，公司还前瞻性地布局了第四代半导体β-Ga2O3技术预研和项目开发，深入探索其在高效功率器件中的应用潜力，以抢占未来技术制高点，持续在功率半导体领域做专、做精。

随着新能源汽车、清洁能源等行业的迅猛发展，对高性能功率半导体器件的需求呈爆发式增长。芯长征凭借在硅基IGBT、SiC和GaN等领域的深厚技术积累和完整产品布局，能够为客户提供全方位的功率半导体解决方案，满足不同应用场景的需求。

AEIF 2025，芯长征碳化硅新篇章

在AEIF 2025的盛会上，芯长征不仅展示了包括MPFFB660M12L3在内的多款产品，还与行业内的专家、学者及企业领袖就宽禁带半导体可靠性、车规认证等议题进行了深入交流，共同探讨汽车电子产业的未来趋势和技术创新。此次荣获新锐产品奖，标志着芯长征在第三代半导体SiC技术领域取得重要突破。

作为功率半导体领域的领航者，我们将以此次获奖为新的起点，继续秉持创新驱动发展理念，完善从SiC芯片设计到系统应用的创新链条。在技术的持续优化的同时拓展产品布局，推动功率半导体技术创新与产业升级，为我国新能源汽车、清洁能源等战略新兴产业的崛起贡献更多芯力量。

关于AEIF“金芯奖”

金芯奖由中国集成电路设计创新联盟组织开展，旨在推动汽车电子行业的创新与发展，并为优秀企业和产品提供展示平台。此评选活动旨在树立国内汽车电子产业的创新标杆，通过评优奖项推动产业发展和技术进步，同时为车企推荐一批技术领先、质量过硬、可靠性强的汽车电子企业与产品，加快推进汽车产业链、供应链融合发展。

关于芯长征

江苏芯长征微电子集团股份有限公司是一家集新型功率半导体器件设计研发与封装制造为一体的高新技术企业。总部坐落于南京，生产制造基地坐落于山东威海，同时在深圳、武汉、西安等地设有办事处、销售和研发中心。

“一往无前长征路，自强不息中国芯”，芯长征将承载功率芯片国产化使命，秉持市场化运营的理念，致力于成为国际有影响力的功率半导体公司。