上海贝岭荣获2025金辑奖最佳技术实践应用奖

2025年10月30日，由盖世汽车主办的第七届金辑奖颁奖盛典在上海圆满落幕。上海贝岭凭借车规级特高压MOSFET BLQ3N100E/BLQ3N120，荣获 “金辑奖2025最佳技术实践应用奖”，公司执行总监唐振宁先生出席并领奖。

“金辑奖”旨在推动中国汽车产业的技术进步与生态升级，本届围绕“中国汽车新供应链百强”主题，重点关注车规级芯片等十大领域。其“最佳技术实践应用奖”专门授予那些已将前沿技术转化为稳定、量产产品的企业。上海贝岭的车规级特高压MOSFET产品，正是这一理念的杰出代表。

SHANGHAI BELLING

产品型号：BLQ3N100E/BLQ3N120

工艺类型节点：0.35μm MOS工艺

封装信息：TO252/TO263

车规认证等级：AEC-Q101

应用领域：汽车BMS、车载辅助电源、预充电路、电子泄放开关等

上车情况：国内多家主流主机厂、Tire1

产品亮点：硅基N沟道增强型MOSFETs，耐压分别高达1000V/1200V，采用先进的MOSFET技术，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。

产品简介：本系列是N沟道增强型特高压平面MOSFET产品，凭借其先进的半导体工艺和结构优化，在降低导通损耗、提升开关速度及增强抗瞬态能力方面表现卓越。优化的雪崩耐受能力则保障了设备在复杂电压波动下的稳定运行，结合紧凑封装设计，为高密度、高可靠性的系统方案提供了理想选择。可适用于新能源汽车动力电池管理系统、车载辅助电源等场景。

技术参数：BLQ3N120以1200V耐压、低至5Ω的典型导通电阻，结合27nC的栅极电荷优化，在高压场景中显著降低导通与开关损耗；

BLQ3N100E则以1000V耐压、6.2Ω为基础，通过13.8nC的超低Qg和内置ESD保护结构，兼顾高频开关效率与抗静电能力。

两者均通过100%雪崩能量测试及AEC-Q101车规认证，支持-55℃至150℃结温范围。

以技术实践，推动产业前行

此次获奖，不仅是行业对上海贝岭技术研发与产品落地能力的肯定，也是对我们在车规级功率半导体领域持续创新的鼓励。未来，上海贝岭将继续深耕汽车电子赛道，以更多“芯”力量，助力中国汽车新供应链的崛起与全球竞争力的提升。