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LMG1020器件是一款单通道低侧GaN驱动器,专为高速驱动GaN FET和逻辑电平MOSFET而设计应用中,低功耗是一个关键问题.LMG1020的设计简单,可实现2.5纳秒的极快传播延迟。通过分别连接栅极与OUTH与OUTL之间的外部电阻器,可针对上拉和下拉沿来独立调节驱动强度。 /p>
GaN驱动器提供过载或故障情况下的欠压锁定(UVLO)和过热保护(OTP)。
LMG1020的0.8mm×1.2mm WCSP封装可最大限度地降低栅极回路电感并最大限度地提高高频功率密度应用中,中对于高效率,高电源密度和稳健性的需求。
所有商标均为他们各自的所有者。
| Driver Configuration |
| Number of Channels (#) |
| Power Switch |
| Bus Voltage (V) |
| Peak Output Current (A) |
| Input VCC (Min) (V) |
| Input VCC (Max) (V) |
| Rise Time (ns) |
| Fall Time (ns) |
| Prop Delay (ns) |
| Input Threshold |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| LMG1020 | LM5113-Q1 | LMG1205 | LMG1210 |
|---|---|---|---|
| Low Side | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge |
| 1 | 2 | 2 | 2 |
| MOSFET GaNFET | MOSFET GaNFET | MOSFET GaNFET | MOSFET GaNFET |
| 90 | 90 | 200 | |
| 7 | 5 | 5 | 3 |
| 4.75 | 4.5 | 4.5 | 6 |
| 5.25 | 5.5 | 5.5 | 18 |
| 0.21 | 7 | 7 | 0.5 |
| 0.21 | 3.5 | 3.5 | 0.5 |
| 2.5 | 30 | 35 | 10 |
| TTL | TTL | TTL | TTL |
| Catalog | Automotive | Catalog | Catalog |
| -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 |
| DSBGA | WSON | DSBGA | WQFN |
| See datasheet (DSBGA) | See datasheet (WSON) | See datasheet (DSBGA) | 19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN) |