东芝第3代SiC MOSFET助于降低应用中电源损耗分享个人观点

功率器件是管理和降低各种电子设备电能功耗以及实现碳中和社会的重要元器件。由于与比硅材料相比，碳化硅具有更高的电压和更低的损耗，因此碳化硅（SiC）被广泛视为下一代功率器件的材料。虽然碳化硅功率器件目前主要用于列车逆变器，但其具有极为广泛的应用前景，包括车辆电气化和工业设备小型化。然而，可靠性问题一直制约着SiC器件的普及和市场发展。 因此，

东芝第3代SiC MOSFET具有以下特点。 内置肖特基势垒二极管（SBD）降低正向电压VDSF，抑制导通电阻RDS(ON)波动 降低代表导通损耗与开关损耗之间关系的性能指标RDS(ON)×Qgd 宽栅源额定电压VGSS范围 东芝第3代SiC MOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品，可降低服务器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器等各种应用的电源损耗。 东芝第3代SiC
东芝第3代SiC MOSFET具有以下特点。 内置肖特基势垒二极管（SBD）降低正向电压VDSF，抑制导通电阻RDS(ON)波动 降低代表导通损耗与开关损耗之间关系的性能指标RDS(ON)×Qgd 宽栅源额定电压VGSS范围 东芝第3代SiC MOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品，可降低服务器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器等各种应用的电源损耗。 东芝第3代SiC MOSFET具有以下特性。

第3代SiC MOSFET特性 1.内置肖特基势垒二极管 (SBD) 降低VDSF，抑制导通电阻RDS(ON)波动 东芝第3代SiC MOSFET内置与漏极和源极之间PN二极管并联的肖特基势垒二极管（SBD），可将反向导通正向电压VDSF降低至1.35V（典型值）。 SBD通电时，我们可抑制因SiC晶体缺陷扩散而引起的漏极和源极之间导通电阻RDS(ON) 的波动。 当从源极到漏极施加250A/cm2电流密度1000小时时，在体二极管通电作用下，无内置SBD的SiC MOSFET导通电阻RDS(ON)最大达42%。 然而内置SBD的第3代SiC MOSFET，由于SBD可以通电，我们能够将导通电阻RDS(ON) 的波动抑制在最大3%。需要详细了解，建议联系技术支持王工以及查看数据手册东芝王工V；wdylsq）确认封装尺寸和热阻参数，以确保与设计匹配。

审核编辑 黄宇