TPS23521 是一种高性能热插拔,使高功率电信系统能够满足严格的瞬态要求。200V 的绝对最大额定值使其更容易通过雷电浪涌测试 (IEC61000-4-5)。软启动电容断开允许通过限制浪涌电流来使用更小的热插拔 FET,而不会损害瞬态响应。双热插拔栅极驱动器可在需要多个热插拔 FET 的高功率应用中节省空间和 BOM 成本。400μA 拉电流允许快速恢复,这有助于避免雷击浪涌测试期间的系统复位。双电流限制使其更容易传递欠压和输入步骤,例如 ATIS 0600315.2013 的要求。最后,它提供精确的欠压和过压保护,具有可编程阈值和迟滞。
*附件:tps23521.pdf
特性
- -10V 至 -80V 直流工作电压,-200V 绝对最大值
- 软启动电容断开
- 双通道热插拔栅极驱动
- 400μA 栅极源电流
- 双电流限制(基于 V
DS 系列)- 低 V 时为 25 mV ±4%
DS 系列 - 高 V 时为 3 mV ±25%
DS 系列
- 低 V 时为 25 mV ±4%
- 可编程 UV(±1.5%)和 OV (±2%)
- 可编程迟滞 (±11%)
- 超时后重试
- 16 引脚 TSSOP 封装
参数
方框图
1. 产品概述
2. 主要特性
- 工作电压范围:-10V至-80V DC,绝对最大值为-200V
- 软启动电容断开:限制涌入电流,允许使用更小的热插拔FET
- 双热插拔门驱动:节省空间和BOM成本
- 400µA门源电流:快速恢复,避免系统重置
- 双电流限制:基于VDS,低VDS时为25mV±4%,高VDS时为3mV±25%
- 可编程欠压(±1.5%)和过压(±2%)保护
- 可编程滞回:±11%
- 重试超时功能
- 16引脚TSSOP封装
3. 功能描述
- 电流限制:具有两个电流限制阈值(I_CL1和I_CL2),根据VDS自动切换,以保护MOSFET。
- 软启动断开:在启动时连接SS引脚以限制涌入电流,正常操作时断开以避免干扰。
- 定时器:管理MOSFET中的应力水平,防止过热损坏。
- GATE2:第二热插拔FET驱动,仅在主FET完全导通时导通,降低辅助FET的SOA要求。
- 欠压和过压保护:具有可编程阈值和滞回,提高系统稳定性。
4. 设备功能模式
- 关闭状态:热插拔FET关闭,等待启动。
- 插入延迟状态:热插拔FET关闭,等待插入延迟完成。
- 启动状态:控制器启动并充电输出电容。
- 正常操作状态:热插拔完全导通,负载可以拉取全功率。
5. 应用信息
- 设计考虑:包括启动、热插拔输出短路到地、启动到短路、输入雷击浪涌等关键场景。
- 详细设计步骤:包括选择感测电阻、软启动设置、VDS切换阈值、定时器选择、MOSFET选择和SOA检查等。
6. 典型应用
- 提供了典型应用电路图和设计要求,包括输入电压范围、最大负载功率、输出电容等。
7. 电源供应建议
- 推荐从非理想-48V总线进行鲁棒操作,考虑各种瞬态情况,如雷击浪涌。
- 如果预期在启动时存在大输入纹波,建议增加C_SS,VEE与C_SS的比率以减少输入电流纹波。
8. 布局指南
- VEE和SNS引脚需要与感测电阻进行开尔文连接。
- VEE迹线需要短而粗,以最小化IR降并避免引入电流感测误差。
- 连接UVEN电阻分压器、OV电阻分压器和TMR电容到"VEE"以确保最大精度。
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