LM7480-Q1系列 3V 至 65V 汽车级理想二极管控制器，背靠背驱动 NFET数据手册-电子发烧友网

LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 汽车电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器（DGATE）驱动第一个 MOSFET，以取代肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压保持。该器件在电源路径中具有第二个 MOSFET，允许使用 HGATE 控制进行负载断开（ON/OFF 控制）和过压保护。该器件具有可调节的过压截止保护功能。LM7480-Q1 有两个变体，LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 采用使用线性稳压和比较器方案的反向电流阻断，而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，中点可用于使用另一个理想二极管的 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源拓扑中配置器件的外部 MOSFET，可以保护负载免受扩展过压瞬变的影响，例如 24V 电池系统中的 200V 非抑制负载突降。
*附件：lm7480-q1.pdf

特性

符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用
- 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类 2 级
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
3V 至 65V 输入范围
低至 –65 V 的反向输入保护
在共漏极和共源极配置中驱动外部背靠背 N 沟道 MOSFET
具有 10.5mV A 至 C 正向压降调节（LM74800-Q1）的理想二极管作
低反向检测阈值（–4.5 mV），具有快速响应（0.5 μs）
20mA 峰值栅极（DGATE）导通电流
2.6A 峰值 DGATE 关断电流
可调过压保护
2.87μA 的低关断电流（EN/UVLO=Low）
通过合适的 TVS 二极管满足汽车ISO7637瞬态要求
采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

参数

方框图

1. 产品概述

‌产品名称‌：LM7480-Q1 理想二极管控制器
‌应用领域‌：
- 汽车电池保护，如ADAS域控制器、摄像头ECU、头单元、USB HUB等
- 冗余电源的有源ORing
‌特点‌：
- AEC-Q100认证，适用于汽车应用
- 输入电压范围宽（3V至65V）
- 反向输入保护（低至-65V）
- 驱动外部背对背N沟道MOSFET，模拟理想二极管
- 可调过压保护
- 低关机电流（2.87μA）
- 符合汽车ISO7637瞬态要求

2. 功能特点

‌理想二极管操作‌：
- 前向电压降调节至10.5mV（LM74800-Q1）
- 低反向检测阈值（-4.5mV），快速响应（0.5μs）
‌过压保护‌：
- 可调过压切断保护
- 通过外部电阻设置过压阈值
‌电源路径控制‌：
- 通过HGATE控制实现负载断开和过压保护
- 支持常见漏极和常见源极配置
‌热关断和能量限制‌：
- 保护开关免受过度应力
- 自动禁用开关以防止损坏

3. 技术规格

‌工作温度范围‌：-40°C至+125°C
‌静电放电（ESD）等级‌：
- HBM：±2000V
- CDM：±750V（角引脚），±500V（其他引脚）
‌电气特性‌：
- 总系统静态电流：397μA（典型值）
- 反向极性期间泄漏电流：1μA
- 使能阈值电压：0.3V至0.93V
- 过压阈值输入电压：1.195V至1.267V（上升），1.091V至1.159V（下降）

4. 应用与实现

‌典型应用‌：
- 12V反向电池保护
- 200V无抑制负载转储保护
‌设计考虑‌：
- MOSFET选型：基于最大连续漏极电流、漏源电压、栅源电压等参数
- TVS二极管选型：用于输入瞬态钳位和保护
- 电容选型：包括输入电容、输出电容、电荷泵电容等
‌布局指导‌：
- 推荐将关键引脚（如A、DGATE、C、HGATE、OUT等）靠近相应的MOSFET引脚放置
- 使用短而粗的走线以减少电阻损耗