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LM7481-Q1系列 具有主动整流驱动 B2B NFET 的汽车级理想二极管控制器数据手册

科技绿洲 2025-05-09 09:12 次阅读
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LM74810-Q1 理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET,以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 汽车电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 驱动第一个 MOSFET,以取代肖特基二极管,用于反向输入保护和输出电压保持。3.8mA 的强电荷泵具有 60mA 峰值 GATE 源电流驱动级和短导通和关断延迟时间,可确保快速瞬态响应,确保在 ISO16750 或 LV124 等汽车测试期间实现稳健高效的 MOSFET 开关性能,其中 ECU 会受到输入短时中断和高达 200KHz 频率的交流叠加输入信号的影响。该器件在电源路径中具有第二个 MOSFET,允许使用 HGATE 控制进行负载断开(ON/OFF 控制)和过压保护。该器件具有可调节的过压截止保护功能,用于负载突降保护。
*附件:lm7481-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类 2 级
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 低至 –65 V 的反向输入保护
  • 驱动外部背靠背 N 沟道 MOSFET
  • 具有 9.1mV A 至 C 正向压降调节的理想二极管作
  • 低反向检测阈值 (–4 mV),具有快速响应 (0.5 μs)
  • 高达 200KHz 的有源整流
  • 60mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 集成 3.8mA 电荷泵
  • 可调过压保护
  • 2.87 μA 低关断电流 (EN/UVLO=低)
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 通过合适的 TVS 二极管满足汽车ISO7637瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

参数

image.png

方框图
image.png

1. 产品概述

  • 产品名称‌:LM7481-Q1 Ideal Diode Controller
  • 应用领域‌:主要用于汽车应用,如电池保护、ADAS域控制器、头单元和高级音频系统等。
  • 特点‌:AEC-Q100认证、宽输入电压范围(3V至65V)、反向输入保护、理想二极管操作、低反向检测阈值、快速响应、主动整流、过压保护等。

2. 功能描述

  • 理想二极管控制‌:通过驱动外部背靠背N沟道MOSFET来模拟理想二极管整流器,实现电源路径的ON/OFF控制和过压保护。
  • 电荷泵‌:集成3.8mA电荷泵,提供驱动外部MOSFET所需的电压。
  • 双门控‌:具有DGATE和HGATE两个独立的门控输出,分别用于控制理想二极管阶段和负载断开开关阶段。
  • 过压保护‌:通过调整过压阈值实现负载保护,防止过压损坏。

3. 技术规格

  • 输入电压范围‌:3V至65V
  • 工作温度范围‌:-40°C至+125°C
  • 最大漏电流‌:在反向电压下,漏电流为19μA(典型值)
  • 电荷泵电流‌:3.8mA(典型值)
  • DGATE峰值源电流‌:60mA
  • HGATE峰值漏电流‌:260mA

4. 应用电路

  • 典型应用‌:包括12V反向电池保护、冗余电源ORing、过压保护和电源路径ON/OFF控制等。
  • 设计考虑‌:如MOSFET选择、电荷泵电容计算、输入输出电容、保持电容、过压保护和电池监测电阻计算等。

5. 布局指导

  • 布局建议‌:理想二极管阶段的A、DGATE和C引脚应靠近MOSFET的源极、栅极和漏极引脚;负载断开阶段的HGATE和OUT引脚应靠近MOSFET的栅极和源极引脚;高电流路径应使用短而粗的走线以最小化电阻损失。

6. 封装信息

  • 封装类型‌:12引脚WSON封装,尺寸为3.0mm x 3.0mm。
  • 环境信息‌:符合RoHS标准,峰值回流温度为260°C。

7. 文档支持

  • 文档更新通知‌:用户可以通过TI的官方网站订阅更新通知,以获取最新的产品文档。
  • 支持资源‌:TI提供E2E支持论坛,用户可以在其中搜索现有答案或提出自己的问题。

8. 注意事项

  • 静电放电(ESD)警告‌:处理集成电路时应采取适当的预防措施,以防止ESD损坏。
  • 布局禁忌‌:不要将裸露的热垫(RTN)连接到GND平面,否则将禁用反向极性保护功能。

9. 安全与合规

  • 安全信息‌:用户应负责选择合适的TI产品,设计、验证和测试其应用,并确保其应用符合适用的标准和其他安全、监管要求。
  • 责任声明‌:TI对其提供的技术和可靠性数据、设计资源等不承担任何明示或暗示的保证,包括适销性、特定用途适用性或非侵权性的暗示保证。

这份文件详细描述了LM7481-Q1理想二极管控制器的功能、技术规格、应用电路、布局指导、封装信息、文档支持、注意事项以及安全与合规要求,为用户提供了全面的产品信息和设计指导。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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