TPS7H2211 是一款单通道 eFuse(具有附加功能的集成 FET 负载开关),可提供反向电流保护、过压保护和可配置的上升时间,以最大限度地减少浪涌电流和软启动。该器件包含 P 沟道 MOSFET,可在 4.5V 至 14V 的输入电压范围内工作,并支持 3.5A 的最大连续电流。
*附件:tps7h2211-sp.pdf
该开关由开和关输入 (EN) 控制,该输入能够直接与低压控制信号连接。过压保护和软启动可通过 OVP 和 SS 引脚使用少量外部元件进行编程。TPS7H2211采用陶瓷和塑料封装,带有外露导热垫,可改善热性能。QML 5962R1822001VXC 的标准微电路图 (SMD) 可用。供应商物料图 (VID) 可用于 -SEP 变体 V62/23609。
特性
- 总电离剂量 (TID) 特性为 100krad(Si)
- 100krad(Si) 的抗辐射保证可用性
- 表征单粒子效应 (SEE)
- 单粒子闩锁 (SEL)、单粒子燃尽 (SEB) 和单粒子栅极破裂 (SEGR) 不受线性能量转移 (LET) 的影响 = 75MeV-cm2/mg*
- 单粒子功能中断 (SEFI) 和单粒子瞬态 (SET) 的特征为 LET = 75MeV-cm2/mg*
- 集成单通道 eFuse
- 输入电压范围:4.5V 至 14V
- 在 25°C 和 VIN = 12V 时,最大 60mΩ 的低导通电阻 (RON)
- 3.5A 最大连续开关电流
- 低控制输入阈值有助于使用 1.2、1.8、2.5 和 3.3V 逻辑
- 可配置的上升时间(软启动)
- 反向电流保护 (RCP)
- 过压保护 (OVP)
- 内部电流限制(快速跳闸)
- 热关断
- 陶瓷和塑料封装,带导热垫
- 适用于军用(–55°C 至 125°C)温度范围
参数
方框图
1. 概述
TPS7H2211-SP是一款辐射硬化保证(RHA)的单通道eFuse,专为需要高可靠性和辐射耐受性的应用设计,如卫星电气电源系统、冷备份电源供应等。该设备集成了FET负载开关,并提供了反向电流保护、过压保护和可配置的软启动时间等功能。
2. 主要特性
- 辐射硬化:总剂量电离辐射(TID)特性高达100krad(Si),具有单事件效应(SEE)免疫性。
- 宽输入电压范围:4.5V至14V。
- 低内阻:最大60mΩ(25°C,VIN=12V)。
- 高连续开关电流:最大3.5A。
- 可编程功能:包括软启动时间、过压保护等。
- 保护特性:反向电流保护(RCP)、过压保护(OVP)、内部电流限制(快速跳闸)、热关断。
- 封装选项:提供陶瓷和塑料封装,带有散热垫。
- 温度范围:军用温度范围(-55°C至125°C)。
3. 功能描述
- eFuse功能:作为集成FET负载开关,TPS7H2211-SP能够控制电源轨的通断,并提供反向电流保护。
- 软启动:通过外部电容配置,可限制启动时的浪涌电流。
- 过压保护:通过外部电阻分压器设置过压保护点,防止下游设备损坏。
- 反向电流保护:当输出电压高于输入电压时,自动关闭开关,防止反向电流。
- 热关断:在结温过高时自动关闭设备,保护电路免受损坏。
4. 应用
- 卫星电气电源系统(EPS) :提供高可靠性和辐射耐受性的电源控制。
- 冷备份电源供应:在主电源故障时,无缝切换到备份电源。
- 电源供应排序:控制多个电源轨的启动顺序。
- 命令与数据处理:在需要高可靠性的计算和控制系统中使用。
- 通信有效载荷:为通信设备提供稳定的电源供应。
5. 电气特性
- 开启时间:典型值为910µs(VIN=5V),220µs(VIN=12V)。
- 关闭时间:典型值为56µs(VIN=5V),41µs(VIN=12V)。
- 输出电压下降时间:典型值为167µs(VIN=5V),139µs(VIN=12V)。
- 过压保护阈值:可配置,典型上升阈值为1.15V,下降阈值为1.14V。
- 反向电流保护阈值:典型进入阈值为363mV(VIN=14V),退出阈值为249mV(VIN=14V)。
6. 封装与尺寸
7. 布局与热管理
- 布局指南:建议将输入和输出电容靠近设备放置,以最小化寄生电感的影响。
- 热管理:使用散热垫和热过孔将热量传导到PCB上,确保设备在允许的温度范围内工作。
8. 文档支持
- 提供了详细的数据手册,包括电气特性、应用信息、布局指南等。
- 用户可以订阅文档更新通知,以获取最新产品信息。
通过以上总结,用户可以全面了解TPS7H2211-SP的主要特性、功能、电气特性、应用、封装选项、布局与热管理以及文档支持。
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