概述
ADRF5720是一款硅、6位数字衰减器,以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。
该器件的工作频率范围为9 kHz至40 GHz,提供优于4.5 dB的插入损耗和出色的衰减精度。在所有状态下,ADRF5720的ATTIN端口具有27 dBm(平均值)和30 dBm(峰值)的射频(RF)输入功率处理能力。
数据表:*附件:ADRF5720 0.5dB LSB、6位硅数字衰减器、9 kHz到40GHz技术手册.pdf
ADRF5720需要+3.3 V和−3.3 V双电源电压供电。该器件具有串行外设接口(SPI)、并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。
ADRF5720与ADRF5730(快速切换版本)引脚兼容,工作频率范围为100 MHz至40 GHz。
ADRF5720 RF端口设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。对于宽带应用,RF传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗、回波损耗和衰减精度特性。有关更多详情,请参考“电气规格”部分、“典型性能参数”部分和“应用信息”部分。
ADRF5720采用符合RoHS标准的24引脚、4 mm × 4 mm、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为−40°C至+105°C。
应用
特性
- 超宽带频率范围:9 kHz至40 GHz
- 衰减范围:0.5 dB步进至31.5 dB
- 具有阻抗匹配的低插入损耗
- 2.0 dB,最高为18 GHz
- 2.8 dB,最高为26 GHz
- 4.5 dB,最高为40 GHz
- 具有阻抗匹配的衰减精度
- ±(0.20 + 1.0%)的衰减状态,最高18 GHz
- ±(0.20 + 1.5%)的衰减状态,最高26 GHz
- ±(0.40+ 3.0%)的衰减状态,最高40 GHz
- 具有阻抗匹配的典型步进误差
- ±0.25 dB,最高为26 GHz
- ±0.65 dB,最高为40 GHz
- 高输入线性度
- P0.1dB插入损耗状态:30 dBm
- P0.1dB其他衰减状态:27 dBm
- IP3: 50 dBm(典型值)
- 高RF输入功率处理:27 dBm平均值,30 dBm峰值
- 相对相位中的紧凑分布
- 无低频杂散信号
- SPI和并行模式控制,CMOS/LVTTL兼容
- RF幅度建立时间(0.1 dB最终RF输出):8 µs
- 24引脚、4 mm × 4 mm LGA封装
- 与ADRF5730引脚兼容,快速切换版本
框图
引脚配置描述
接口示意图
典型性能特征
应用信息
评估板
ADRF5720 - EVALZ是一款四层评估板。顶层和底层铜层为0.5盎司(0.7密耳),镀覆至1.5盎司(2.2密耳),并由电介质材料隔开。该评估板的堆叠结构如图36所示。
所有射频和直流走线都布置在顶层铜层,而内层和底层为接地层,为射频传输线提供稳固的接地。顶层电介质材料为12密耳的Rogers RO4003,可提供最佳的高频性能。中间和底层电介质材料提供机械强度。电路板总厚度为62密耳,可在板边连接2.4 mm的射频连接器。
射频传输线采用共面波导(CPWG)模型设计,线宽为16密耳,与接地层间距为6密耳,特性阻抗为50Ω。为实现最佳射频和热接地效果,应围绕传输线及器件外露焊盘布置尽可能多的过孔。
ADRF5720 - EVALZ在射频传输线上未实现高频阻抗匹配。有关阻抗匹配电路的更多详细信息,请参考探头矩阵板部分的“阻抗匹配”内容。
直通校准可用于校准消除ADRF5720 - EVALZ评估板测量中的板损耗效应,以确定集成电路引脚处的性能。图37展示了ADRF5720 - EVALZ评估板的典型板损耗、嵌入插入损耗以及去嵌入插入损耗。
图37展示了插入损耗与频率的关系。
图38展示了带有元件布局的实际ADRF5720评估板。
两个电源端口连接到VDD和VSS测试点TP1和TP2,接地参考连接到GND测试点TP4。在电源走线VDD和VSS上,使用一个100 pF的旁路电容来滤除高频噪声。此外,还有未安装元件的位置,可通过添加元件来应用额外的旁路电容。
所有数字控制引脚通过数字信号走线连接到2×9引脚接头P1。设有一个电阻电容(RC)滤波器,有助于消除直流耦合噪声。在评估ADRF5720时,评估板上未安装外部RC滤波器,此时串联电阻为0Ω,并联电容未安装。
射频输入和输出端口(ATTIN和ATTOUT)分别通过50Ω传输线连接到2.4 mm射频连接器J1和J2。这些高频射频连接器通过接触连接,未焊接到板上。
一条直通校准传输线J3和J4未安装元件。这条传输线用于评估环境条件下估算印刷电路板的损耗,ADRF5720 - EVALZ评估板的示意图如图39所示。
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ADRF5720 0.5 dB LSB、6 位硅数字衰减器、9 kHz 到 40 GHz
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