CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单个 LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、栅极 ESD 保护数据手册

这种 30V、22mΩ、N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，可在许多手持式和移动应用中最大限度地减少占用空间。该技术能够取代标准小信号 MOSFET，同时显著减小基底面尺寸。
*附件：csd17585f5.pdf

特性

• 低导通电阻
• 超低 Qg和 QGD
• 超小尺寸
  • 1.53 毫米 × 0.77 毫米
• 低调
  • 0.36 mm 高
• 集成 ESD 保护二极管
  • 额定 > 4 kV HBM
  • 额定> 2 kV CDM
• 无铅和无卤素
• 符合 RoHS 规范

参数

方框图

1. 产品特性

• ‌低导通电阻‌：RDS(on)在VGS=4.5V时为26mΩ，在VGS=10V时为22mΩ。
• ‌超低栅极电荷‌：Qg（总栅极电荷）在VGS=4.5V时为1.9nC，有助于减少开关损耗。
• ‌超小封装‌：1.53mm × 0.77mm的封装尺寸，适用于空间受限的应用。
• ‌低剖面‌：0.36mm的最大高度，便于表面贴装。
• ‌集成ESD保护二极管‌：HBM评级>4kV，CDM评级>2kV，提高静电放电保护能力。
• ‌环保特性‌：无铅、无卤素，符合RoHS标准。

2. 应用领域

• ‌工业负载开关‌：优化用于工业领域的负载开关应用。
• ‌通用开关应用‌：适用于各种需要小封装和高开关频率的通用开关电路。

3. 产品描述

CSD17585F5是一款30V、22mΩ的N沟道FemtoFET™MOSFET，采用超小封装设计，旨在最小化手持和移动设备中的占用空间。该器件能够替换标准小信号MOSFET，同时显著减小封装尺寸。

4. 规格参数

4.1 电气特性

• ‌漏源电压‌：VDS最大值为30V。
• ‌栅源阈值电压‌：VGS(th)的典型值为1.3V。
• ‌漏源导通电阻‌：RDS(on)在VGS=4.5V时为26mΩ，在VGS=10V时为22mΩ。
• ‌栅极电荷‌：Qg（总栅极电荷）在VGS=4.5V时为1.9nC，Qgd（栅极到漏极电荷）为0.39nC。

4.2 热信息

• ‌结到环境热阻‌：RθJA为90°C/W（在最大铜垫上），245°C/W（在最小铜垫上）。

5. 典型MOSFET特性

• ‌瞬态热阻抗‌：展示了器件在不同条件下的瞬态热阻抗特性。
• ‌饱和特性‌：展示了漏源电流与漏源电压在不同栅源电压下的关系。
• ‌转移特性‌：展示了栅源电压与漏极电流的关系。
• ‌栅极电荷‌：展示了栅极电荷与栅源电压的关系。
• ‌电容特性‌：展示了输入电容、输出电容和反向传输电容与栅源电压的关系。

6. 设备与文档支持

• ‌文档更新通知‌：用户可以通过TI官网的产品文件夹接收文档更新通知。
• ‌商标信息‌：FemtoFET™是Texas Instruments的商标。

7. 包装与订购信息

• ‌封装类型‌：1.53mm × 0.77mm的SMD无引脚封装。
• ‌订购信息‌：提供了器件的订购编号、封装类型、引脚数、包装数量等信息。