CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单个 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、栅极 ESD 保护技术手册

这款 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，可在许多手持式和移动应用中最大限度地减少占用空间。该技术能够取代标准小信号 MOSFET，同时大幅减小基底面尺寸。集成的 10kΩ 箝位电阻器 （RC） 允许栅极电压 （VGS） 在高于 –6V 的最大内部栅极氧化值 （VGS） 上运行，具体取决于占空比。当 VGS 增加到 –6V 以上时，通过二极管的栅极泄漏 （IGSS） 会增加。
*附件：CSD25501F3 –20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 数据表.pdf

特性

• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
  • 0.7 毫米 × 0.6 毫米
• 低调
  • 最大高度 0.22 毫米
• 集成 ESD 保护二极管
• 无铅和无卤素
• 符合 RoHS 规范

参数

方框图

1. 产品特点

• ‌低导通电阻‌：64mΩ（V GS = –4.5V）
• ‌超低栅极电荷‌：Q g = 1.02nC（V GS = –4.5V）
• ‌超小封装‌：0.7mm × 0.6mm LGA封装，最大高度0.22mm
• ‌集成ESD保护二极管‌
• ‌无铅和无卤素‌
• ‌RoHS合规‌

2. 应用领域

• ‌负载开关应用‌
• ‌电池应用‌
• ‌手持和移动设备‌

3. 电气特性

• ‌最大漏源电压‌：V DS = –20V
• ‌最大栅源电压‌：V GS = –20V
• ‌连续漏极电流‌：I D = –3.6A
• ‌脉冲漏极电流‌：I DM = –13.6A（脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%）
• ‌功率耗散‌：P D = 500mW
• ‌阈值电压‌：V GS(th) = –0.75V

4. 热信息

• ‌热阻‌：
  • R θJA = 90°C/W（安装在FR4材料上，1in²铜面积）
  • R θJA = 255°C/W（安装在FR4材料上，最小铜面积）

5. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：LGA（Land Grid Array）
• ‌尺寸‌：0.7mm × 0.6mm × 0.22mm（最大高度）

6. 栅极电荷与电容

• ‌栅极总电荷‌：Q g = 1.02nC（V GS = –4.5V）
• ‌栅极到漏极电荷‌：Q gd = 0.09nC
• ‌输入电容‌：C iss = 295pF（V GS = 0V, V DS = –10V, f = 100kHz）
• ‌输出电容‌：C oss = 70pF
• ‌反向传输电容‌：C rss = 4.1pF

7. 开关特性

• ‌开启延迟时间‌：t d(on) = 474ns（V DS = –10V, V GS = –4.5V, I DS = –0.4A）
• ‌上升时间‌：t r = 428ns
• ‌关断延迟时间‌：t d(off) = 1154ns
• ‌下降时间‌：t f = 945ns

8. 二极管特性

• ‌二极管正向电压‌：V SD = –0.73V至–0.95V（I SD = –0.4A, V GS = 0V）
• ‌反向恢复电荷‌：Q rr = 3.0nC（V DS = –10V, I F = –0.4A, di/dt = 200A/μs）
• ‌反向恢复时间‌：t rr = 7.4ns

9. 安全操作区域

• 提供了最大漏极电流与温度的关系图，以及最大安全操作区域图。

CSD25501F3是一款专为手持和移动设备优化的P沟道MOSFET，具有低导通电阻、超低栅极电荷和超小封装等特点，适用于负载开关和电池应用等领域。