HMC1126 GaAs、pHEMT、低噪声放大器技术手册

概述
HMC1126ACEZ是一种砷化镓（GaAs）、伪晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）、低噪声放大器，工作频率为400MHz至52GHz。HMC1126ACEZ提供12 dB的典型增益、28.5 dBm的典型输出三阶截距（OIP3）、17.5 dBm的1 dB增益压缩（OP1dB）的典型输出功率以及3.5 dB的10 GHz至26 GHz的典型噪声系数。HMC1126ACEZ需要85 mA的5 V电源。所有通常需要的外部无源元件（交流耦合电容器和电源去耦电容器）都是集成的，这有助于实现小型和紧凑的印刷电路板（PCB）占地面积。

HMC1126ACEZ采用5.00 mm × 5.00 mm、24引脚芯片阵列小型封装、无引脚腔(LGA_CAV)封装。
数据表：*附件：HMC1126 GaAs、pHEMT、低噪声放大器技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 军事与太空

特性

• 增益：12 dB（典型值，10 GHz至26 GHz时）
• 输入回波损耗：14 dB（典型值，10 GHz至26 GHz时）
• 输出回波损耗：16 dB（典型值，10 GHz至40 GHz时）
• OP1dB：17.5 dB（典型值，10 GHz至26 GHz时）
• P SAT ：21 dBm（典型值，10 GHz至26 GHz时）
• OIP3：28.5 dBm（典型值，10 GHz至26 GHz时）
• 噪声系数：3.5 dB（典型值，10 GHz至26 GHz时）
• 5 V电源电压（85 mA时）
• 50 Ω匹配输入和输出
• 无需外部无源元件
• 5.00 mm × 5.00 mm、24引脚LGA_CAV封装

功能框图

引脚配置和功能描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息
图57显示了操作HMC1126ACEZ的基本连接。由于RFIN和RFOUT引脚内部交流耦合，因此不需要外部交流耦合。因为冯。VGG 1和VcG2内部去耦，这些引脚无需外部元件。图57显示了用于表征和验证器件的配置。有关使用评估板的信息，请参考HMC1126-EVALZ用户指南。

HMC920LP5E(见图58)旨在为HMC1126ACEZ等增强型和耗尽型放大器提供有源偏置控制。HMC920LP5E测量并调节漏极电流，以补偿温度变化和器件差异。

此外，HMC920LP5E对栅极和漏极电压进行适当排序，以确保安全的开关操作，并在短路时提供电路自我保护。有源偏置控制器包含一个内部电荷泵，它产生驱动HMC1126ACEZ上Vcc1引脚所需的负电压。或者，可以提供外部负电压。有关HMC920LP5E使用的更多信息，请参考HMC920LP5E数据手册和AN-1363应用笔记。