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瞬态分流抑制器(TDS)优势4—高ESD峰值泄放特性

静芯微 来源:jf_65561982 作者:jf_65561982 2025-03-11 14:18 次阅读
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在涉及浪涌防护时,传统瞬态电压抑制二极管TVS)具有成本低廉和应用方便等特点,工程师通常会将其作为热门选择。然而传统TVS存在不可忽视的缺点,从而导致系统设计面临挑战,例如TVS二极管的特性对温度变化敏感、钳位电压特性低效以及封装体积大,导致需要对受保护电路进行过度设计。为了产品在恶劣环境中运行维持更长的使用寿命,因此必须开发更为可靠的浪涌保护解决方案。

湖南静芯突破浪涌控制(SurgeControl)技术,推出瞬态分流抑制器(TransientDivertingSuppressors,简称TDS)产品系列,用来保护电路的静电放电ESD(Electro-Static Discharge)和电气过压EOS(Electrical Over Stress)。TDS与传统TVS二极管的结构以及工作机理不同,其不再基于传统的PN结作为击穿机制与浪涌电流泄放路径。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性,可为系统提供更全面和更可靠的保护,避免系统的过度设计。

IEC 61000-4-2是静电放电(ESD)抗扰度测试的国际标准,专门用于评估电气和电子设备在静电放电环境下的抗干扰能力。对TDS进行10次正负接触放电测试,图1测试结果表明,TDS在±10kV、±20kV和±30kV的接触放电测试后,其漏电流没有明显变化。因此,湖南静芯推出的TDS器件ESD峰值能力达到±30kV,满足IEC 61000-4-2等级4的标准。

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(a) 0kV接触放电测试后的漏电
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(b)±10kV接触放电测试后的漏电
wKgZPGfP1YOABbBUAAAQI04Qnpo283.png
(c)±20 kV接触放电测试后的漏电
wKgZPGfP1YOAJNYhAAAR-K-F3sE306.png
(d)±30 kV接触放电测试后的漏电

图1 TDS的静电放电测试

静芯公司推出的系列TDS芯片具有接近理想状况的ESD和EOS保护特性,可以广泛应用于USB/雷电接口工业机器人、IO-Link接口、工业传感器、IIoT设备、可编程逻辑控制器(PLC)和以太网供电(PoE)等领域,可为系统提供更全面以及更可靠的保护。目前公司推出来ESTVS2200DRVR、ESTDS2211P、ESTVS3300DRVR、ESTDS3311P等封装型号,欢迎客户前来咨询选购。

湖南静芯是一家专门从事高可靠性器件与芯片设计的高新技术企业,为客户提供面向汽车、工业、物联网等高可靠性传感器及相关芯片、半导体器件和应用系统等产品和服务。

审核编辑 黄宇

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