‌Vishay 1.5KE系列瞬态电压抑制器应用解析与技术指南

Vishay Semiconductors TransZorb^®^ 瞬态电压抑制器采用玻璃钝化芯片结，耗散功率为6.5W。这些电压抑制器具有出色的钳位能力、非常快的响应时间和低增量浪涌。TransZorb瞬态电压抑制器有单向和双向极性可供选择。这些电压抑制器已通过AEC-Q101认证。TransZorb®瞬态电压抑制器用于消费电子、计算机、电信和汽车应用的IC、MOSFET、传感器单元信号线。

数据手册：*附件：Vishay Semiconductors transzorb®瞬态电压抑制器数据手册.pdf

特性

• 玻璃钝化贴片结
• 单向和双向极性
• 功率耗散：6.5W
• 6.8V至540VVBR 单向
• 6.8V至220VVBR 双向
• 5.8V至459VVWM单向
• 5.8V至185VVWM双向
• 优秀的钳位能力
• 非常快的响应时间
• 低增量浪涌电阻
• 符合 AEC-Q101 标准
• 浸焊275°C（最大值），10秒，符合JESD 22-B106标准
• 工作结温范围：-55 °C至175 °C

外壳类型：1.5KE

Vishay 1.5KE系列瞬态电压抑制器应用解析与技术指南‌

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‌一、产品核心特性概述‌

Vishay TransZorb® 1.5KE系列瞬态电压抑制器（TVS）是专为敏感电子设备防护设计的核心器件，具备以下关键技术优势：

• ‌功率能力‌：1500 W峰值脉冲功率（10/1000 μs波形），适用于高能瞬态冲击场景
• ‌响应速度‌：瞬态响应时间达1×10⁻⁹秒，可有效抑制闪电、感性负载切换引起的电压尖峰
• ‌电压覆盖‌：单向型击穿电压覆盖6.8 V至540 V，双向型覆盖6.8 V至220 V
• ‌结构特性‌：玻璃钝化芯片结，满足UL 94 V-0阻燃等级

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‌二、关键参数深度解析‌

‌1. 电气特性对照表‌

参数类型	单向器件范围	双向器件范围	测试条件
击穿电压(VBR)	6.45 V ~ 567 V	6.45 V ~ 231 V	IT = 0.1-10 mA
关断电压(VWM)	5.8 V ~ 459 V	5.8 V ~ 185 V	-
最大钳位电压(VC)	10.5 V ~ 740 V	11.3 V ~ 246 V	IPPM电流下

‌2. 功率特性曲线分析‌

• ‌脉冲功率降额‌：环境温度超过25°C时需按图2曲线降额使用
• ‌热阻参数‌：结到环境热阻RθJA典型值75°C/W，结到引脚15.4°C/W
• ‌瞬态热阻抗‌：脉宽1ms时约20°C/W，10ms时升至40°C/W（图12）

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‌三、典型应用场景设计要点‌

‌1. 电路防护配置‌

• ‌IC/MOSFET保护‌：并联于信号线或电源引脚，吸收ESD和开关浪涌
• ‌通信线路防雷‌：符合R.E.A. PE-60标准，抵御 rural线路感应雷击
• ‌汽车电子系统‌：AEC-Q101认证型号适用于发动机控制单元等关键部件

‌2. 选型计算实例‌

以1.5KE100A为例：

• 工作电压VWM = 85.5 V（低于器件击穿电压最小值95.0 V）
• 预期瞬态电流10kA（8/20μs）时：
  • 钳位电压VC ≈ 92.0 V（查阅电气特性表）
  • 功率验证：P = VC × IPP = 92.0 V × 10 kA = 920 kW（需确认脉冲宽度适配性）

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‌四、设计注意事项‌

1. ‌布局约束‌
   • 引线长度建议≤9.5mm（图5功率降额曲线参考）
   • 尽量缩短TVS与被保护元件距离，降低回路电感
2. ‌温度补偿影响‌
   • VBR温度系数随电压升高而增大（0.057%/°C至0.11%/°C）
   • 高温环境需重新核算VWM与VBR的电压裕量
3. ‌多器件组合方案‌
   • 串联：提升总体耐压能力（注意均压设计）
   • 并联：增强浪涌分流能力（需匹配动态电阻）

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‌五、进阶应用技巧‌

• ‌电容特性利用‌：双向器件在VR=0时电容达10000pF（图4），可兼作高频滤波
• ‌失效模式预防‌：
  • 避免持续功率超过PD=6.5W（TL=75°C）
  • 定期检测反向漏电流ID，判断器件老化状态