扬杰科技揭秘手机快充对同步整流MOS的参数要求

同步整流MOS：

手机快充“低温高效”背后的隐形功臣

在智能手机续航焦虑的时代，快充技术已成为用户的核心需求。从“充电5分钟，通话2小时”到百瓦级超快充，手机充电速度的跃升，离不开一个关键元件的进化--同步整流MOS管。它如同快充系统的“能量守门员”，在毫秒间精准控制电流方向，将电能损耗降至最低。本文将揭秘手机快充对同步整流MOS的核心参数要求，解析如何通过“低阻、高频、耐压”实现“低温快充”与“极致效率”的完美平衡。

为什么手机快充必须用同步整流MOS？

传统手机充电器采用二极管整流，但二极管导通压降高（0.3V~0.7V），在5V/3A输出时，仅整流环节就损耗0.9W~2.1W！这不仅导致充电器发烫，还严重拖累效率。

同步整流MOS凭借“低导通电阻（RDS(on)”和“高频开关能力”，将整流损耗降至接近零。以20W快充为例，同步整流MOS的导通损耗仅为传统二极管的1/10，效率突破95%，让手机快充真正实现“快而冷静”。

手机快充对同步整流MOS的五大核心参数

01导通电阻RDS(on)：

低温快充的“第一道门槛”

技术突破：

采用先进SGT工艺，RDS(on)低至3-8mΩ(以PDFN5060-N100V为例)

02高频开关性能：

小体积充电器的“瘦身密码”

关键参数：

1.栅极电荷（Qg，输入电容（Ciss）；

2.反向恢复时间（Trr）（消除体二极管反向导通损耗）；

场景应用：

1.支持100kHz以上高频开关，减小变压器体积，使充电器体积缩小；

2.高频下EMI更低，兼容多国安规认证。

03耐压与可靠性：

应对“高压突袭”的硬核实力

耐压要求：

主流手机快充：N60/100V(覆盖USB PD 20V输出及浪涌电压)。

可靠性设计：

工作温度范围-40℃~150℃。

04封装与散热：

让“小身材”也能“大散热”

封装趋势：

1.超小型/超薄型封装：PDFN5060、PDFN3x3、WLCSP（晶圆级封装），适配小体积充电器；

2.高效散热设计：PDFN5060封装搭配裸露焊盘，热阻（RθJC）＜1.1℃/W。

散热方案：

1.PCB铜箔面积≥50mm²，增加散热过孔。

2.高端机型采用陶瓷基板或导热凝胶，快速导出热量。

05成本与性价比：

平衡性能与市场的“终极考题”

经济型方案：

硅基MOS单颗成本0.1美元级别(如YJG5D2G10H、YJG8D0G10H)。

设计避坑指南：三大关键细节

1.驱动匹配：N100V同步整流MOS采用Normal Level Vth适应多种驱动方案芯片，避免误导通导致发热失效。

2.EMI优化：高频开关需注意PCB布局（如栅极回路最短化），必要时添加RC吸收电路。

3.热仿真测试：通过红外热成像仪验证MOS温升，确保高温环境下稳定运行。

扬杰科技方案

YJG5D2G10H 优势:

1.此产品使用Gen 3.0 平台去建立, 各电性参数稳定性更优于Gen 2.0, 能有着低Trr/ Qrr

2.FOM(RDS(on)*Qg) 优于市面上的产品

3.BVDSS典型值>110V, 提供更安全的余量

4.稳定VGS(TH) 波动(VGS(TH) Deviation) , 器件并联电路应用可以提供最佳的方案

选对MOS，让快充“冷静”到底

手机快充的竞争，本质是电能转换效率与热管理的博弈。同步整流MOS作为核心“能效阀门”，其参数选型直接决定了用户体验的“速度”与“温度”。唯有紧扣“低阻、高频、耐压、小体积”四大核心，才能在快充赛道中抢占先机。

让每一秒充电都高效，让每一度温度都可控——同步整流MOS，手机快充“低温高效”背后的隐形功臣！