近年来,在消费电子需求带动下,加上新能源汽车、数据中心、光伏、风电、工业控制等产业的兴起,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体厂商发展迅速。
据全球市场研究机构TrenForce集邦咨询此前公布的数据显示,2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元,至2030年有望上升至43.76亿美元,CAGR高达49%,而SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势,未来几年整体市场需求将维持增长态势,并预估2028年全球SiC Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。
在巨大的市场机遇以及国家政策扶持下,中国半导体厂商发展已进入快车道,并且已初步登上国际市场的舞台。
晶扬电子 | 电路与系统保护专家
深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,是国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”科技企业,是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN HOUSE,拥有百余项有效专利等知识产权。建成国内唯一的广东省ESD保护芯片工程技术研究中心,是业内著名的“电路与系统保护专家”。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
339文章
31247浏览量
266589 -
消费电子
+关注
关注
10文章
1249浏览量
74134 -
GaN
+关注
关注
21文章
2385浏览量
84485
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
高频交直流电流探头在第三代半导体功率模块动态测试中的精准测量
高频交直流电流探头克服磁饱和问题,实现超宽频带响应,适用于第三代半导体动态测试,提升电流测量精度与效率。
深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体
深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体碳化硅材料的肖特基二极管和碳化硅mos管的生产技术,开启了在半导体行业高速发
发表于 01-31 08:46
高频交直流探头在第三代半导体测试中的应用
高频交直流探头基于法拉第电磁感应原理,具备高带宽、高精度和高分辨率,适用于第三代半导体器件的动态特性、栅极电流测量及开关损耗计算。
Neway第三代GaN系列模块的生产成本
Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响,整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成:核心
发表于 12-25 09:12
芯干线斩获2025行家极光奖年度第三代半导体市场开拓领航奖
2025年12月4日,深圳高光时刻!由第三代半导体产业标杆机构「行家说三代半」主办的「2025行家极光奖」颁奖晚宴盛大启幕,数百家SiC&GaN领域精英企业齐聚一堂,共襄产业盛事。
第三代半导体碳化硅(Sic)加速上车原因的详解;
如有雷同或是不当之处,还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习! 碳化硅是第三代半导体材料的代表;而半导体这个行业又过于学术,为方便阅读,以下这篇文章的部分章节会以要点列示为主,如果遗漏
第三代半导体半桥上管电压电流测试方案
在第三代半导体器件的研发与性能评估中,对半桥电路上管进行精确的电压与电流参数测试,是优化电路设计、验证器件特性的关键环节。一套科学、可靠的测试方案可为技术开发提供坚实的数据支撑,加速技术迭代与产业化
CINNO出席第三代半导体产业合作大会
10月25日,第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席,盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
材料与应用:第三代半导体引领产业升级
以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,正加速替代传统硅基材料,在新能源汽车、工业控制等领域实现规模化应用。GaN 凭借更高的电子迁移率和禁带宽度,成为高频通信、快充设备的核心
基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用
基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用 第一章:B3M技术平台架构前沿 本章旨在奠定对基本半导体(BASIC Semiconductor)B3M系列的技术认知
电镜技术在第三代半导体中的关键应用
第三代半导体材料,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现,正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中,电镜技术发挥着不可或缺的作用
第三代半导体的优势和应用领域
随着电子技术的快速发展,半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅(Si)半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求,因此,第三代半导体材料应运而生。
瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析(1)
随着AI技术井喷式快速发展,进一步推动算力需求,服务器电源效率需达97.5%-98%,通过降低能量损耗,来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇,瑞能半导体先发制人,推出的第三代超结MOSFET,能全面满足高效能需求。
第三代半导体厂商加速出海
评论