0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Littelfuse发布超级结X4-Class功率MOSFET

力特奥维斯Littelfuse 来源:力特奥维斯Littelfuse 作者:力特奥维斯Littel 2024-11-26 14:21 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

提供业界领先的低通态电阻,使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化,性能得到提升。

Littelfuse隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET

超级结X4-Class 200V功率MOSFET

这些新器件在当前200V X4-Class超级结MOSFET的基础上进行扩展,有些具有最低导通电阻。这些MOSFET具有高电流额定值,设计人员能够用来替换多个并联的低额定电流器件,从而简化设计流程,提高应用的可靠性和功率密度。此外,SOT-227B封装的螺钉安装端子可确保安装坚固稳定。

这些新的200V MOSFET提供最低的导通电阻,增强并补充了现有的Littelfuse X4-Class超级结系列产品组合。与当下最先进的X4-Class MOSFET解决方案相比,这些MOSFET的额定电流最高可提高约2倍,导通电阻值最高可降低约63%。

新型MOSFET非常适合必须最大限度降低导通损耗的一系列低压功率应用,包括:

电池储能系统(BESS)

电池充电器

电池成型

DC/电池负载开关,以及

电源

“新器件将允许设计人员用一个器件解决方案取代多个并联的低额定电流器件。”Littelfuse全球产品营销工程师Sachin Shridhar Paradkar表示,“这种独特的解决方案简化了栅极驱动器设计,提高了可靠性,改善了功率密度和PCB空间利用率。”

超级结X4级功率MOSFET具有以下主要性能优势:

低传导损耗

最少的并行连接工作量

驱动器设计简化,驱动器损耗最小

简化的热设计

功率密度增加

为什么对于看重极小导通损耗的应用来说具有低导通电阻的MOSFET是首选?

对于看重极小导通损耗的应用来说,具有低导通电阻(RDS(on))的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是理想选择。这类器件能显著降低工作期间的功耗,从而降低传导损耗,提高效率,并减少发热。因此,它们非常适合电源、电机驱动器和电池供电设备等功率敏感型应用,在这些应用中,保持高效率和热管理至关重要。

性能指标

5f907334-ab94-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

供货情况

超级结X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供货。可通过Littelfuse全球各地的授权经销商索取样品。如需了解Littelfuse授权经销商名单,请访问 Littelfuse.com。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    151

    文章

    10814

    浏览量

    234973
  • 半导体
    +关注

    关注

    339

    文章

    31251

    浏览量

    266613
  • 封装
    +关注

    关注

    128

    文章

    9333

    浏览量

    149053
  • Littelfuse
    +关注

    关注

    5

    文章

    277

    浏览量

    98359

原文标题:【新品介绍】​Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET

文章出处:【微信号:Littelfuse_career,微信公众号:力特奥维斯Littelfuse】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    MOSFET相关问题分享

    的矛盾。采用超级技术有助于降低导通电阻,并提高MOS管开关速度,基于该技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。 4.Q
    发表于 01-26 07:46

    UCCx732x4-A 峰值高速低侧功率 MOSFET 驱动器:特性、应用与设计要点

    UCCx732x4-A 峰值高速低侧功率 MOSFET 驱动器:特性、应用与设计要点 在现代电子设备的设计中,功率
    的头像 发表于 01-12 10:10 407次阅读

    芯源的MOSFET采用什么工艺

    采用的是超级工艺。超级技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件开发的,用于改善导通电阻与击穿电压之间的矛盾。采用
    发表于 01-05 06:12

    MOSFET的基本结构与工作原理

    MOSFET(Super-Junction MOSFET,简称SJ-MOS)是一种在高压功率半导体领域中突破传统性能限制的关键器件。它通过在器件结构中引入交替分布的P型与N型柱区,
    的头像 发表于 01-04 15:01 2902次阅读
    超<b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的基本结构与工作原理

    Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级MOSFET

    :LFUS)是一家多元化的工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4超级
    的头像 发表于 12-12 11:40 732次阅读
    <b class='flag-5'>Littelfuse</b>推出采用SMPD-<b class='flag-5'>X</b>封装的200 V、480 A<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    芯源MOSFET的应用领域有哪些

    芯源MOSFET采用超级技术,主要有以下几种应用: 1)电脑、服务器的电源--更低的功率损耗; 2)适配器(笔记本电脑、打印机等)--更轻、更便捷。 3)照明(HID灯、工业照明
    发表于 12-12 06:29

    为什么超级 GaN Sic能避免热损耗? #MOS #MOS管 #mosfet #mosfet工作原理

    MOSFET
    微碧半导体VBsemi
    发布于 :2025年12月05日 17:43:24

    选型手册:MOT65R180HF N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT65R180HF是一款N沟道超级功率MOSFET,凭借650V耐压、低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数
    的头像 发表于 11-18 15:39 441次阅读
    选型手册:MOT65R180HF N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT65R380F N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT65R380F是一款N沟道超级功率MOSFET,凭借650V耐压、低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校
    的头像 发表于 11-18 15:32 480次阅读
    选型手册:MOT65R380F N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT70R380D N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N沟道超级功率MOSFET,凭借700V耐压、低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校
    的头像 发表于 11-10 15:42 509次阅读
    选型手册:MOT70R380D N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT70R280D N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N沟道超级功率MOSFET,凭借700V耐压、超低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数
    的头像 发表于 11-07 10:54 376次阅读
    选型手册:MOT70R280D N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT70R280D 系列 N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超级技术的N沟道功率MOSFET,凭借700V级耐压、超低导通损耗及高鲁棒性,广泛适用于功率
    的头像 发表于 10-31 17:31 432次阅读
    选型手册:MOT70R280D 系列 N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT65R600F 系列 N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超级技术的N沟道功率MOSFET,凭借650V耐压、低导通损耗及高鲁棒性,广泛适用于功率
    的头像 发表于 10-31 17:28 574次阅读
    选型手册:MOT65R600F 系列 N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT65R380D 系列 N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT65R380D是一款面向高压功率转换场景的N沟道超级功率MOSFET,凭借650V耐压、低导通损耗及高鲁棒性
    的头像 发表于 10-29 10:31 473次阅读
    选型手册:MOT65R380D 系列 N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    新洁能Gen.4MOSFET 800V和900V产品介绍

    MOS采用垂直结构设计,在漂移区内交替排列垂直的P型柱区和N型柱区,形成“超级”单元,通过电荷补偿技术突破传统功率半导体“硅极限”的高压器件,其核心设计通过优化电场分布实现低导通
    的头像 发表于 05-06 15:05 1914次阅读
    新洁能Gen.<b class='flag-5'>4</b>超<b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> 800V和900V产品介绍