三星携手台积电,共同研发无缓冲HBM4 AI芯片技术

据最新报道，三星电子与台积电携手共谋AI芯片的未来，双方正紧密合作开发下一代高带宽存储器（HBM4）芯片，旨在巩固并加强各自在快速增长的人工智能芯片市场中的领先地位。在Semicon Taiwan 2024高峰论坛中，台积电生态系统与联盟管理领域的领军人物Dan Kochpatcharin透露，双方的合作焦点已锁定在无缓冲HBM4芯片的研发上。

HBM作为AI时代的关键技术之一，其提供的处理速度远超传统内存芯片，对于推动AI应用的快速发展具有不可估量的价值。HBM4作为该系列的第六代产品，预计将由包括三星、SK海力士和美光科技在内的多家顶级存储制造商在明年开始大规模生产，以满足英伟达等AI芯片巨头的迫切需求。

业内分析认为，三星与台积电此番合作开发无缓冲HBM4芯片，标志着两家行业巨头在AI芯片领域的首次深度合作。作为代工行业的第二把交椅，三星长期与领头羊台积电在市场份额上展开激烈竞争。面对日益复杂的内存制造工艺，双方意识到通过合作来共克时艰的重要性。

据透露，即将问世的无缓冲HBM4芯片在能效和延迟方面均实现了显著提升，其能效比现有型号高出40%，而延迟则降低了10%，这将为AI计算带来更加高效、流畅的体验。

三星方面已明确表示，将于2025年正式量产HBM4芯片。据消息人士透露，三星与台积电的合作将以尖端的第六代HBM4芯片为起点，该韩国科技巨头计划于明年下半年启动大规模生产。尽管三星在HBM4领域已具备从内存生产到代工及先进封装的全链条服务能力，但公司仍希望通过借助台积电的技术优势来吸引更多客户，进一步拓宽市场份额。

值得一提的是，根据市场研究公司TrendForce的数据，三星目前占据着HBM市场35%的份额，处于领先地位。为了稳固其市场地位，SK海力士虽未涉足代工业务，但已于今年4月宣布与台积电携手进军HBM4芯片生产领域，并计划于2026年实现量产，这一举措无疑为市场竞争增添了新的变数。