0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

可穿戴芯片进阶至3nm!Exynos W1000用上了面板级封装,集成度更高

Monika观察 来源:电子发烧友 作者:莫婷婷 2024-07-08 08:29 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群



电子发烧友网报道(文/莫婷婷)关于可穿戴芯片,三星已经推出了多款产品。2021年8月,三星发布Exynos W920,彼时是业内首款采用5nm工艺制程的可穿戴芯片,首载在Galaxy Wtach 4系列手表上。到了2023年7月,发布了 Exynos W930 智能手表芯片,首搭在Galaxy Watch 6 系列。

221443814a47c4ada00f680c9f62c040556d183c? 
图源:三星官网

就在今年7月,三星打破了上一代产品两年一更新的节奏,发布了Exynos W1000,这也是业内首款采用3nm GAA工艺制程的可穿戴设备芯片,将首搭在Galaxy Watch 7上。

939c58d93545079c528bd197f882fd9a7c3484f8? 
图源:三星官网

当前,可穿戴设备的功能越来越多,对可穿戴主控芯片的性能要求也越来越高,包括续航、延迟、显示等关键技术。作为业内首款3nm可穿戴设备芯片,Exynos W1000在工艺制程上得到明显的突破,其性能也相比上一代得到明显的提升。

外媒报道,Exynos W1000搭载了1个Cortex-A78大核和4个小核(Cortex-A55),主频分别为1.6GHz和1.5GHz。与上一代Exynos W930相比,Exynos W1000多核提升3.7倍,单核性能提升3.4倍,主要应用启动速度提升2.7倍。

值得一提的是,Exynos W1000采用FOPLP(扇出面板级封装),这是当前业内厂商正在跟进的先进封装,其优势是采用便宜的方形基板,且方形基板尺寸较大能够进行更多数量的封装,降低封装成本。成本的优化,对三星来说是一大利好,毕竟三星智能穿戴设备的出货量在全面排名前五。

除了FOPLP ,Exynos W1000同时采用SiP(系统级封装)、ePoP封装,集成了电源管理芯片,还集成了DRAM、NAND存储芯片。可见Exynos W1000的集成度之高。得益于制造工艺和封装方式的改进,Exynos W1000能够在保持高性能的同时还保证小型化,为电池提供了更多空间,从而为智能手表设计增添了新的灵活性。

在显示方面,Exynos W1000搭载2.5D常亮显示功能,带来增强的显示屏和具有丰富细节的表盘。当前,LTPO曲面常亮屏已经是大多数高端智能手表的标配,例如荣耀智能手表4 Pro。三星也有多款智能手表具备该功能,例如三星 Watch 6 与 Watch 6 Classic。只不过该功能需要对功耗也有了更高的要求。

三星对Exynos W1000也进行了低功耗设计。根据官方的介绍,Exynos W1000 GPU采用帧间断电(IFPO)和超驱动下(UUD)技术来降低电流消耗,同时为调制解调器引擎的低功耗运行实施了动态电压频率缩放(DVFS),并且采用了低功耗蓝牙(BLE),将给LPDDR4X升级到LPDDR5,也可提供更高的电源效率。

据了解,三星将在7月10日举办Galaxy新品发布会,届时将会带来折叠屏手机新品以及智能穿戴新品,Galaxy Watch 7、Galaxy Watch 7 Ultra或将在该场发布会上亮相。根据当前的公开消息,Galaxy Watch 7预计将配备40mm的圆形显示屏,支持BioActiveSensor2技术,售价约为262美元。

作为三星的新一代可穿戴芯片,Exynos W1000会给三星的智能手表带来哪些使用体验的提升,值得期待。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 智能手表
    +关注

    关注

    38

    文章

    3351

    浏览量

    119333
  • 可穿戴技术
    +关注

    关注

    2

    文章

    140

    浏览量

    41897
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1737

    浏览量

    33688
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    功率半导体晶圆封装的发展趋势

    在功率半导体封装领域,晶圆芯片规模封装技术正引领着分立功率器件向更高集成度、更低损耗及更优热性
    的头像 发表于 10-21 17:24 3657次阅读
    功率半导体晶圆<b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>封装</b>的发展趋势

    【「AI芯片:科技探索与AGI愿景」阅读体验】+半导体芯片产业的前沿技术

    %。至少将GAA纳米片提升几个工艺节点。 2、晶背供电技术 3、EUV光刻机与其他竞争技术 光刻技术是制造3nm、5nm等工艺节点的高端半导体芯片的关键技术。是将设计好的
    发表于 09-15 14:50

    全球首款2nm芯片被曝准备量产 三星Exynos 2600

    据外媒韩国媒体 ETNews 在9 月 2 日发文报道称全球首款2nm芯片被曝准备量产;三星公司已确认 Exynos 2600 将成为全球首款采用 2nm 工艺的移动 SoC
    的头像 发表于 09-04 17:52 2013次阅读

    Chiplet与3D封装技术:后摩尔时代的芯片革命与屹立芯创的良率保障

    在摩尔定律逐渐放缓的背景下,Chiplet(小芯片)技术和3D封装成为半导体行业突破性能与集成度瓶颈的关键路径。然而,随着芯片
    的头像 发表于 07-29 14:49 731次阅读
    Chiplet与<b class='flag-5'>3</b>D<b class='flag-5'>封装</b>技术:后摩尔时代的<b class='flag-5'>芯片</b>革命与屹立芯创的良率保障

    FZH1691 4×36 LCD显示屏高集成度驱动控制芯片中文手册

    深圳市方中禾科技有限公司(Premier Chip Limited)推出的 FZH1691 是一款专为 4×36 LCD 显示屏 设计的高集成度驱动控制芯片,最多可驱动 144 段显示,适用于低功耗
    发表于 05-23 10:19 0次下载

    系统封装电磁屏蔽技术介绍

    多年来,USI环旭电子始终致力于创新制程技术的研发,为穿戴式电子设备中的系统封装(SiP)实现高集成度及高性能的解决方案。其中,电磁屏蔽性能的持续优化与提升,可谓是 SiP 技术发展
    的头像 发表于 05-14 16:35 1080次阅读
    系统<b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>封装</b>电磁屏蔽技术介绍

    DA14531-00000FX2 超低功耗蓝牙5.1 SOC芯片介绍

    功耗蓝牙 5.1 SoC 芯片,专为物联网和可穿戴设备设计,具有高集成度和低功耗特性。 2. 主要特性 蓝牙版本:支持蓝牙 5.1 功耗:超低功耗设计,延长电池寿命 处理器:32-bit ARM
    发表于 03-10 16:47

    迈巨推出高集成度锂电池安全管理芯片AMG8816

    迈巨微电子隆重推出新产品: AMG8816 ,该产品是一款专为 3-16 串锂电池包设计的高集成度智能电池管理(BMS)主控芯片,以高集成度、多层级的全面保护机制、高精度数据采集、灵活
    发表于 02-24 17:00 1200次阅读
    迈巨推出高<b class='flag-5'>集成度</b>锂电池安全管理<b class='flag-5'>芯片</b>AMG8816

    台积电加大亚利桑那州厂投资,筹备量产3nm/2nm芯片

    据最新消息,台积电正计划加大对美国亚利桑那州工厂的投资力度,旨在推广“美国制造”理念并扩展其生产计划。据悉,此次投资将着重于扩大生产线规模,为未来的3nm和2nm等先进工艺做准备。
    的头像 发表于 02-12 17:04 940次阅读

    嵌入式板封装在高压应用中的新挑战—微区缺陷造成的局部放电

    嵌入式板封装汽车电驱系统正在朝着更高电压(1200V)、更高集成度不断发展。高集成度特别是“嵌
    的头像 发表于 01-10 15:31 785次阅读
    嵌入式板<b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>封装</b>在高压应用中的新挑战—微区缺陷造成的局部放电

    消息称台积电3nm、5nm和CoWoS工艺涨价,即日起效!

    )计划从2025年1月起对3nm、5nm先进制程和CoWoS封装工艺进行价格调整。 先进制程2025年喊涨,最高涨幅20% 其中,对3nm、5nm
    的头像 发表于 01-03 10:35 1023次阅读

    三星Exynos W1000荣获CES 2025创新奖

    在CES 2025开幕前夕,三星半导体专为智能手表和可穿戴设备打造的Exynos W1000处理器,以其卓越的性能与能效比,重新定义了智能穿戴设备的使用体验,获得了CES 2025在时
    的头像 发表于 12-31 15:20 828次阅读

    集成度电源管理芯片CN8911B应用于PLC模块

    集成度电源管理芯片CN8911B应用于PLC模块
    的头像 发表于 12-18 10:07 1046次阅读
    高<b class='flag-5'>集成度</b>电源管理<b class='flag-5'>芯片</b>CN8911B应用于PLC模块

    芯海科技CST92F25:一款高集成度、低功耗BLE 5.0芯片

    芯海科技CST92F25是一款高集成度、低功耗BLE SoC芯片,基于BLE 5.0协议栈,支持125Kbps远距离通信,集成32位Arm®Cortex®-M0 MCU、主频高达64MHz,内置
    的头像 发表于 12-17 17:20 2035次阅读
    芯海科技CST92F25:一款高<b class='flag-5'>集成度</b>、低功耗BLE 5.0<b class='flag-5'>芯片</b>

    蓝牙可穿戴方案,蓝牙手环,蓝牙戒指,方案

    可穿戴
    必尔易半导体
    发布于 :2024年12月13日 20:20:09