安建半导体出席第36届功率半导体器件和集成电路国际研讨会

安建成功入围口头报告

在前不久结束的ISPSD2024 征稿评比中，安建半导体以工作单位独立参加碳化硅领域投稿，在口头报告录取率仅只有12.4%的激烈角逐下，成功入围口头报告，再次证明了安建半导体的技术和创新能力。

第36届功率半导体器件和集成电路国际研讨会于2024年6月2日-6日在德国不来梅举行。安建研发经理刘永博士受邀出席此次会议，并作关于1200V-class SiC器件技术突破的口头报告(oral presentation)，向国际专家、学者等展示公司产品技术进展。安建半导体自成立以来，高度重视碳化硅产品的技术创新，并搭建了完整的器件设计、测试、可靠性验证管理系统。

关于ISPSD

ISPSD会议 (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、功率集成、工艺、封装和应用的所有方面，是功率半导体器件和功率集成电路领域在国际上最重要、最具影响力的顶级学术会议，被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外产业界和学术界争相发表重要成果的舞台。

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关于安建

安建半导体(JSAB Technologies Limited)是一家专门从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的高科技公司。安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件。