CGD开发GaN,致力于打造更环保电子器件

位于英国剑桥市的无晶圆制造环保科技型半导体公司 Cambridge GaN Devices（简称 CGD）研发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，主攻更为环保的电子设备领域。近日，该公司正与全球先进连接与电源解决方案供应商 Qorvo®联手研发 GaN在电机控制应用中的参考设计及评估套件（EVK）。此举旨在加速 GaN功率 IC在无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）应用中的普及，构建出更高功率、高效、紧凑且稳定的系统。值得一提的是，Qorvo在其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 电机控制器和驱动器的 EVK 设计中，采用了 CGD的ICeGaN™（IC 增强型 GaN）技术。

CGD首席执行官 Giorgia Longobardi表示：“我们的 ICeGaN HEMT提供了接口电路，无需集成控制器，只需与高度集成的电机控制器和驱动 IC简单结合，即可由如 Qorvo的 PAC5556A 600 V高性能 BLDC/PMSM 电机控制器和驱动器轻松驱动。我们非常荣幸能与 Qorvo携手，让他们的电机控制器和驱动器充分享受 GaN所带来的诸多好处。”

Qorvo功率管理事业部总经理 JEFF Strang则表示：“GaN和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体因其具有更高的功率密度和效率优势，广泛运用于各类电机控制应用中。CGD的 ICeGaN产品具备易用性和可靠性两大特点，这正是电机控制和驱动设计者所关注的重点。我们期待看到设计工程师们将 CGD的 ICeGaN与我们高度集成的 PAC5556A 600V 无刷直流电机控制解决方案相结合后的精彩表现。”

GaN的诸多优势包括：更低的损耗，带来更高的效率，进一步提升功率可用性并降低热量产生。这使得对复杂、庞大且昂贵的热管理解决方案的需求得以降低，从而打造出更小巧、更强大、寿命更长久的系统。同时，GaN在低速状态下也能提供更大的扭矩，实现更精准的控制。此外，GaN的高速开关特性有助于降低噪音，特别适用于吊扇、热泵以及冰箱等家用电器。

与其他 GaN器件相比，ICeGaN还具备以下显著优势：其栅极驱动电压与 IGBT兼容，无需负关断电压，且可使用低成本的电流驱动器。最重要的是，ICeGaN内置电流感测功能，简化电路设计并降低物料清单（BOM）。

目前，参考设计已经面世，EVK RD5556GaN预计将于今年第三季度推出市场。该产品将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举办的PCIM展览会上首次亮相。届时，CGD的展位号为7-643，Qorvo的展位号为7-406。