0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

新品 | 1600V平板型相控晶闸管T2200N16H100

英飞凌工业半导体 2024-05-22 08:14 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

新品

1600V平板型相控晶闸管

T2200N16H100

3774cbfa-17d0-11ef-bebc-92fbcf53809c.png

T2200N16H100是一款采用现代压接技术的100毫米平板型晶闸管,电压为1600V。这种Eco系列平板型晶闸管在生产效率和压接力方面进行了优化,可以使用更小的压装系统实现相同的导通损耗。

因此,在相同的尺寸,我们提供了经济高效的替代产品,而且我们的产品具有众所周知的可靠性,因而具有卓越的性能,使用寿命长。我们的压接式芯片一般都具有同类最佳的耐压稳定性。

产品型号:

T2200N16H100

产品特点

故障短路模式

一流的钝化处理

密闭的压接式封装

高度自动化的生产流程

应用价值

短时过载能力高

由于故障短路模式,安全设计更简单

高直流阻断能力

防H2S设计

生产率高保障快速供应

应用领域

电机驱动

UPS

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 晶闸管
    +关注

    关注

    35

    文章

    1117

    浏览量

    80556
  • 电压
    +关注

    关注

    45

    文章

    5793

    浏览量

    122411
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    探索 onsemi FDT1600N10ALZ N沟道 MOSFET:特性、参数与应用

    阻 FDT1600N10ALZ 采用先进的 POWERTRENCH 工艺,能有效降低通态电阻。在不同的栅极电压和漏极电流条件下,其导通电阻表现优异。例如,当 (V {GS}=10V),(I {D}=2.8A) 时,典型导
    的头像 发表于 04-20 15:25 140次阅读

    深入剖析2.5 V/3.3 V ECL差分接收器/驱动器MC10LVEP16和MC100LVEP16

    深入剖析2.5 V/3.3 V ECL差分接收器/驱动器MC10LVEP16和MC100LVEP16 在高速电子系统设计中,差分接收器/驱动器是关键的组成部分。今天我们就来详细探讨
    的头像 发表于 04-12 09:05 441次阅读

    选铸铁平板别只看平面!带不带“T槽”差别巨大

    铸铁装配平板是普通铸铁平板的一个细分类型,它的核心区别在于带有T槽,专门为固定工件和设备而设计。 可以理解成“通用款”和“专用款”的关系。普通铸铁
    发表于 04-10 10:50

    RZ/T2H和RZ/N2H MPU:工业级应用的高性能之选

    RZ/T2H和RZ/N2H MPU:工业级应用的高性能之选 作为深耕电子硬件设计领域多年的工程师,我一直关注着高性能MPU在工业应用中的创新与突破。今天,就和大家深入探讨一下瑞萨电子的RZ/T2H
    的头像 发表于 04-01 11:25 198次阅读

    onsemi NTMT100N60S5H MOSFET:高效开关性能的理想之选

    onsemi NTMT100N60S5H MOSFET:高效开关性能的理想之选 在电子工程领域,MOSFET作为关键的功率器件,其性能直接影响着电子系统的效率和稳定性。今天,我们来深入了解一下安森美
    的头像 发表于 03-30 17:35 498次阅读

    NTBL100N60S5H MOSFET:高效性能与应用解析

    )的NTBL100N60S5H这款单N沟道功率MOSFET。 文件下载: NTBL100N60S5H-D.PDF 一、产品概述 NTBL100N60S5H属于SUPERFET
    的头像 发表于 03-30 15:10 226次阅读

    SGM2200H 高压稳压器:高性能与多功能的完美结合

    SGM2200H 高压稳压器:高性能与多功能的完美结合 在电子设计领域,稳压器是确保电子设备稳定运行的关键组件之一。今天,我们将深入探讨 SGMICRO 推出的 SGM2200H 高压稳压器,它以
    的头像 发表于 03-20 15:05 151次阅读

    新品 | TRENCHSTOP™ IGBT 7 H7 750V分立器件

    新品TRENCHSTOPIGBT7H7750V分立器件TRENCHSTOPIGBT7H7750V硬开关分立器件,是650V版本的升级产品,
    的头像 发表于 02-05 17:04 1112次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | TRENCHSTOP™ IGBT 7 <b class='flag-5'>H</b>7 750<b class='flag-5'>V</b>分立器件

    Infineon TT370N18KOF 晶闸管模块技术解析

    Infineon TT370N18KOF 晶闸管模块技术解析 在电力电子领域,晶闸管模块一直是实现功率控制和转换的关键组件。今天,我们就来深入探讨一下 Infineon 公司
    的头像 发表于 12-21 16:35 823次阅读

    Infineon T3841N18TOF电网晶闸管:高性能相位控制解决方案

    Infineon T3841N18TOF电网晶闸管:高性能相位控制解决方案 在电子工程领域,晶闸管作为一种重要的功率半导体器件,广泛应用于各种电力控制和转换系统中。今天,我们将深入探讨英飞凌
    的头像 发表于 12-21 11:00 1052次阅读

    Infineon T2481N28TOF电网晶闸管:技术特性与应用解析

    Infineon T2481N28TOF电网晶闸管:技术特性与应用解析 引言 在电子工程领域,晶闸管作为一种重要的功率半导体器件,广泛应用于各种电力控制和转换系统中。英飞凌(Infineon
    的头像 发表于 12-21 10:55 819次阅读

    ZK30N100T N沟道增强功率MOSFET技术手册

    ZK30N100T是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强功率MOSFET,文档从核心特性、关键参数、应用场景、封装与包装、电气及热特性、测试电路、机械尺寸等多维度展开介绍,为该器件的选型
    发表于 10-16 16:23 0次下载

    MIAP2200D凭何突破?双5G并发×全千兆网口×毫秒级无缝漫游!

    随着工业自动化、智能化进程加速,工业无线通信的重要性日益凸显,MIAP2200系列工业无线客户端凭借前三款明星产品——MIAP2200S-1N2-T、MIAP2200H-3N25-2T
    的头像 发表于 08-29 11:36 1876次阅读
    MIAP<b class='flag-5'>2200</b>D凭何突破?双5G并发×全千兆网口×毫秒级无缝漫游!

    面向大功率家电,ST推出第二代IH系列1600V IGBT

    电子发烧友网综合报道 最近,意法半导体推出了一款面向大功率家电应用的第二代IH系列1600V IGBT STGWA30IH160DF2,该器件兼具1600 V的额定击穿电压、优异的热性能和软开关拓扑
    发表于 07-28 07:29 4138次阅读

    意法半导体推出先进的 1600 V IGBT,面向高性价比节能家电市场

    2025 年7月16日,中国——意法半导体发布STGWA30IH160DF2 IGBT,该器件兼具1600 V的额定击穿电压、优异的热性能和软开关拓扑高效运行等优势,特别适用于需要并联使用的大功率
    的头像 发表于 07-17 10:43 6848次阅读