江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目预计6月投产
据“金龙湖发布”公众号消息，目前，江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目机电安装工作已进入后期收尾阶段。相关负责人称，后续重要工作将是吊顶完成，各系统的追位、调试，以及生产辅助用房建设和地面硬化等，力保6月前完成调试，6月3日顺利竣工交付。
据悉，天科合达二期项目作为省级重大产业项目，总投资8.3亿元，建筑面积约5万平方米，包括标准化厂房、危化库、固体库等设施。计划购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台（套），新建碳化硅晶片衬底制备生产线，达产后可实现年产碳化硅衬底16万片，将为徐州经开区集成电路与ICT产业集群提供重要支撑。
据了解，江苏天科合达是北京天科合达全资子公司。北京天科合达是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业。此次二期扩产项目投产后，天科合达徐州基地碳化硅晶片年产能将达到23万片、年产值10亿元以上。
审核编辑 黄宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
晶片
+关注
关注
1文章
413浏览量
33045 -
碳化硅
+关注
关注
26文章
3593浏览量
52777
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
为什么说碳化硅替换硅器件正当时
碳化硅替换传统硅基功率器件，已经不是一种趋势，而是正在发生的事实。碳化硅不仅在汽车驱动、光伏储能等高压要求领域应用，还有充电桩、PD快充适配器也已经渗透很多，超出了预期。合科泰不仅深耕
onsemi FFSH5065A碳化硅肖特基二极管的技术解析
onsemi FFSH5065A碳化硅肖特基二极管的技术解析 在电子工程领域，功率半导体器件的性能直接影响着电子系统的效率、可靠性和成本。碳化硅（SiC）肖特基二极管作为新一代的功率半
onsemi FFSP2065B碳化硅肖特基二极管技术剖析
onsemi FFSP2065B碳化硅肖特基二极管技术剖析 在电子工程领域，功率半导体器件的性能直接影响着电子系统的效率、可靠性和成本。今天，我们来深入探讨 onsemi 公司的一款碳化硅（SiC
onsemi碳化硅肖特基二极管NDSH30120CDN技术解析
onsemi碳化硅肖特基二极管NDSH30120CDN技术解析 在功率半导体领域，碳化硅（SiC）技术正逐渐崭露头角。今天我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基
onsemi碳化硅肖特基二极管PCFFS40120AF的特性与应用解析
onsemi碳化硅肖特基二极管PCFFS40120AF的特性与应用解析 在功率半导体领域，碳化硅（SiC）技术正逐渐崭露头角，成为提升系统性能的关键力量。今天，我们就来深入了解一下安森美
《氧化铝、碳化硅、氮化硅，谁才是工业陶瓷老大？》
如果非要在氧化铝、碳化硅和氮化硅这三大工业陶瓷中选出一个“老大”，我们不妨借用一个形象的比喻来理解它们各自的“江湖地位”：坐镇中枢的氧化铝是“丞相”，攻城拔寨的碳化硅是“征北大将军”，而锐不可当
发表于 04-29 07:23
一文看懂 | 中国华北、华东地区SiC功率器件厂商2026年最新动态【上】
二期洁净间启用、产能翻倍。
2025 年 3 月：1200V SiC 半桥 1B 封装模块量产，采用第三代沟槽栅技术，适配新能源汽车主驱等场景。
13 臻驱科技
2026 年 3 月：申请碳化
发表于 03-24 13:48
技术突围与市场破局：碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径
，市场对高性能内胆的需求缺口正在放大。国内部分技术领先的企业已开始布局，例如海合精密陶瓷有限公司等具备先进陶瓷制备能力的厂商，正通过优化氮化硅-碳化硅复合材料的配方与烧结工艺，力图在保证性能的前提下
发表于 03-20 11:23
森国科发布SOD123封装1200V/1A碳化硅二极管
深圳市森国科科技股份有限公司将原本用于硅基器件的小型封装SOD123成功应用于1200V/1A碳化硅二极管，这一突破彰显了其在碳化硅器件设计领域的领先实力。
12英寸碳化硅外延片突破！外延设备同步交付
电子发烧友网综合报道 ， 短短两天内，中国第三代半导体产业接连迎来重磅突破。12月23日，厦门瀚天天成宣布成功开发全球首款12英寸高质量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛机电 便官宣其自主研发
碳化硅器件的应用优势
碳化硅是第三代半导体典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势，在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定，哪怕是在超过300℃的高温环境下，打破了传统材料下器件的参数瓶颈，直接促进了新能源等
江苏集芯首枚8英寸液相法高质量碳化硅单晶出炉
，标志着江苏集芯在第三代半导体核心材料领域再下一城，也为我国碳化硅产业链的自主可控写下关键一笔。 碳化硅晶体是第三代半导体的重要基础材料，在6/8 英寸物理气相传输法（PVT）已实现量
碳化硅晶圆特性及切割要点
01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料，经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光、清洗等制造过程后形成的单片材料。按照电学性
IPAC碳化硅直播季丨如何应用CoolSiC™ MOSFET设计高能效系统？
碳化硅直播季首场直播收获了过万的观看量，“打铁需趁热”，第一期话题直直戳中了可靠性这个核心战场，第二期就必须得火力全开，好好唠唠怎么把碳化硅的优势发挥到极致。7
评论