深圳基本半导体公司成功研发沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及制备技术

深圳基本半导体近期获批一项名为“一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法”的专利（专利号CN117238972B），并将于2024年4月16日正式生效。此项专利主要涉及半导体器件技术领域，其创新之处在于提出了一种新型沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及制作工艺。

具体来说，该结构由以下几部分组成：首先是n+型碳化硅衬底，接着是n-型漂移层和n型电流传输层，这三者自下而上依次排列。在n型电流传输层的顶部，从外部向内部依次设有p+型基区、n+型源区以及栅氧化层，其中栅氧化层还包覆着多晶硅栅。此外，栅氧化层、p+型基区以及n+型源区的底部均设有p+型保护区，n型电流传输层上方则覆盖有隔离介质层，其两侧各设接触电极，隔离介质层上方设有源电极，n+型碳化硅衬底的背面设有漏电极。

通过这种设计，本发明成功地改变了器件沟道电流的方向，使之不再受沟槽保护结构的限制，同时通过引入电流传输层降低了沟槽保护结构对沟道电流的影响，从而实现了更低的比导通电阻。