SK海力士CEO：HBM内存占比料将破两位数，全面提升盈利能力

据报道，韩国科技巨头 SK 海力士首席执行官（CEO）郭鲁正于当日召开的年度股东大会上透露，预计本年其高速缓存模块 （HBM） 在全线DRAM内存中销量会占据两位数比例，即便如此，明年DRAM供应仍将处于紧缺状态。

面对股东对该公司去年在AI领域备受瞩目及HBM热卖背景下，仍然出现9万亿韩元（折合约482.4亿元人民币）净亏问题的质疑，郭鲁正解释为主要由占销售额主导地位的普通DRAM产品价格下滑所致，尽管HBM如日中天，但去年贡献的销售额却仅占个位数字。

针对常规DRAM价格从去年四季度开始回升以及内存业务整体盈利状况可能得到显著改善的预期，郭鲁正亦做此表态。对于NAND闪存和固态硬盘领域，他主张将策略重点由追求市场份额转移到提高营收方面，加大高利润产品的推广力度，以应对去年因勇敢投入而遭受的重大损失。

截至目前，SK 海力士并未打算放弃旗下图像传感器CIS业务，相反，他们正在对此进行重组。关于技术发展趋势，郭鲁正预测未来HBM内存将会根据客户需求进行个性化设计，逐渐摆脱通用标准产品的标签。另外，The Elec，韩国电子媒体曾报道，SK 海力士已经成功接获来自谷歌的HBM内存定制订单。

至于中国地区的产能，SK 海力士方面表示已获得升级许可，将在无锡工厂将DRAM工艺升级至1a纳米，进一步扩大生产规模。