栅驱动器是一种通过放大MCU信号来控制晶体管导通或关闭的电路,相比分立式器件,栅驱动器集成度高,无需外部器件即可实现保护功能,能显著提高电路性能。目前国芯思辰栅驱动器分为电桥电路栅驱动器和MOSFET栅驱动器两种类型,MOSFET栅驱动器工作原理如下:
电桥电路栅驱动器:
电桥电路栅驱动器是一种具有独立高/低端输出通道的电路,可驱动高压、高速率场效应管和IGBT晶体管。以AiP2119为例,该电路是一款三相90V半桥栅极驱动电路,内含多种电路保护设计(死区设计、直通保护和欠压保护等),具有低功耗待机模式,适用于中小功率无刷电机。
MOSFET栅驱动器:
MOSFET栅驱动器是一种低边驱动器,采用CMOS工艺设计制造,与双极驱动器相比,功耗更低,运行效率更高。以AiP4422为例,该芯片支持2.4V输入高电平电压及0.8V输入低电平电压,输出阻抗小,传输延迟低。
国芯思辰栅驱动器可提供足够的电压电流来驱动功率半导体器件,确保电路开关可靠,可应用于电力电子转换器、工业驱动系统和电机控制等领域。
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