持久内存（PMEM）将成为DRAM的替代者？

据存储网络行业协会（SNIA）专家预测，21世纪20年代末将迎来持久内存（PMEM）革命，暗示新技术或将超越DRAM等传统存储技术。

IT之家指出，作为内存与外部存储器结合体的持久内存，其高速持久化特性在解决磁盘IO性能问题中显露出更强的潜力。

SNIA的Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示，如SK海力士和美光研发的铪铁电随机存取内存，尽管已达到现代DRAM速度，但目前尚不知晓何种新兴内存技术会脱颖而出，从而取代DRAM在PC和服务器中的地位。

铁电随机存取内存凭借其快速写入周期的优势，吸引了众多关注。此外，竞争者还包括MRAM、FERAM以及ReRAM等新兴存储技术。

专家认为，MRAM与其他竞争者相比有显著优势，在不久将来读取速度有望赶超DRAM。冷离子自旋阀（STT-RAM）、自旋轨道力矩（spintronics）和电压调控磁各向异性磁随机存储器（VCMRRAM）等新技术亦在不断缩短MRAM的写入延迟，使其成为潜在替代DRAM的领先方案之一。

其中，MRAM为磁阻式随机存取内存，其读取速度接近SRAM，非挥发性堪比快闪存储器，而容量密度和使用寿命不逊于DRAM，单位能耗远低于DRAM，被誉为真正的通用型内存。

FeRAM铁电随机存取内存则相较SDRAM更进一步，展示出具有非挥发性内存的潜能。

至于ReRAM可变电阻式存储器，作为新型非易失性存储器的代表，正同磁阻式随机存取存储器一道引领新世代存储革命的到来。