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Tower Semiconductor与瑞萨合作制造基于SiGe的波束成形IC

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-02-05 10:15 次阅读

高价值模拟半导体代工解决方案的领先厂商Tower Semiconductor今日宣布与瑞萨电子建立战略合作伙伴关系。双方将利用Tower的先进大批量高性能SiGe BiCMOS技术,共同制造基于SiGe的波束成形集成电路(IC)。

这一合作再次证明了瑞萨在创新方面的坚定承诺。凭借其广泛的波束成形产品组合,瑞萨已在5G和卫星通信市场赢得了全球主要厂商的设计订单,巩固了其在行业中的领先地位。

波束成形技术是5G和未来通信系统的关键组成部分,能够实现更高效、更可靠的数据传输。通过与Tower Semiconductor的合作,瑞萨将能够进一步提升其波束成形IC的性能和可靠性,以满足日益增长的市场需求。

随着5G和卫星通信市场的快速发展,对高性能波束成形IC的需求也在不断增长。通过与Tower Semiconductor的合作,瑞萨电子将继续发挥其创新实力,满足市场需求,并为全球客户提供卓越的解决方案。

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