三星电子新设内存研发机构，专攻下一代3D DRAM技术研发

近日，三星电子在美建立尖端存储研发机构，专攻全新3D DRAM领域，力图保持其超强的科技竞争力。

据了解，该公司日前在美国加州硅谷成立的半导体美洲分部（DSA）已开始推行此项研发项目。该机构还计划积极招募全球最优秀的专家加入团队，携手推动存储产业的发展。

原有的DRAM采用2D结构，即大量元件密集排布在同一平面。然而，为了提升性能，储存行业正致力于开发高密度的3D DRAM。这项技术包括水平堆积和垂直堆积两种方式，均能有效地增加存储空间。

凭借2013年全球首发的、领先业界的3D垂直结构NAND（3D V-NAND）的巨大成功为基础，三星力求在DRAM 3D垂直结构研发中取得领导者地位。

在去年的“内存技术日”大会上，三星进一步宣布计划在未来10纳米甚至更精细制程的DRAM产品中应用全新的3D结构，取代传统2D布局。此举将助力解决3D垂直结构芯片面积受限问题，大幅提升性能表现，实现单件芯片存储扩容至百GB级别。

此外，三星曾在日本举办的“VLSI研讨会”上发布一篇关于3D DRAM研究成果的学术文章，并提供了实际半导体制造的3D DRAM详尽演示图片。