南亚科技3D堆叠AI内存UltraWIO技术

南亚科技近日首度对外界披露其定制化AI内存的研发进度。公司表示，正与多家逻辑IC厂及生态系伙伴合作，部分产品已进入试产阶段，预计今年下半年将浮现更多具体成果。

此次南亚科技主推的技术为 UltraWIO（Ultra Wide I/O，超宽输入输出介面）架构内存。该架构并非JEDEC标准的DRAM产品，而是与客户的AI运算引擎（AI Engine）紧密整合的客制化方案。其概念类似于高带宽内存（HBM）与GPU之间的协作模式，通过大幅增加数据通道数与带宽，解决AI运算中的数据存取效率瓶颈。

在物理整合上，UltraWIO将采用 3D堆叠与先进封装技术，未来可能导入Wafer-on-Wafer（WoW）技术，其中第一层DRAM堆叠将由南亚科技自行完成，逻辑芯片则由合作伙伴设计。

针对市场布局，南亚科技指出，现阶段AI运算仍以GPU搭配HBM为主流，但随着AI推理需求快速增长，未来不一定所有应用都采用HBM，可能会出现更多内存架构组合，例如GDDR、Local Memory及客制化内存。随着AI PC、AI手机及各类终端AI装置需求升温，南亚科技期望通过 UltraWIO客制化内存与ASIC的异质整合，在新兴AI终端运算市场建立技术壁垒。

此前，南亚科技总经理李培瑛表示，AI 应用内存的四大关键元素分别是高密度先进 DRAM、3D TSV 硅通孔工艺与多芯片封装、HBM 设计能力、逻辑 Base Die。

南亚科技目前已完成高密度先进 DRAM 技术部署，正同伙伴补丁科技、福懋科技一道推进 TSV 和封装，HBM 设计和逻辑制程 Base Die 则将以战略性投资与合作形式实现。其定制化 DRAM 项目预计最快可在 2026 年取得验证，2026 年底至 2027 年贡献业绩。