IGBT模块的损耗特性介绍
IGBT模块的损耗特性
IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。另外，内置续流二极管的损耗为导通损耗与关断（反向恢复）损耗(ERR)之和。EON、EOFF、ERR与开关频率的乘积为平均损耗。
IGBT的损耗：
续流二极管的反向恢复损耗：
反向恢复损耗 ERR 开关特性的测试：
PDMB100B12开通损耗EON测量范例：
PDMB100B12关断损耗EOFF测量范例：
1200V B系列开通损耗 EON （Tj= 125℃），有关门极系列阻抗RG请参阅技术规格。
1200V B系列关断损耗 Eoff (Tj=125C)，有关门极系列阻抗RG请参阅技术规格。
1200V B系列续流二极管反向恢复损耗 ERR（Tj= 125℃），有关门极系列阻抗RG请参阅技术规格。
1200V B系列ERR对门极串联电阻RG依存性（Tj= 125℃）
审核编辑：刘清
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原文标题：IGBT模块的损耗特性
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