【导读】与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。 这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。 为了知道每个芯片的温度
2023-02-24 17:05:24
685 为获得绝缘栅双极型晶体管( IGBT)在工作过程中准确的功率损耗,基于数学模型及测试,建立了 一种准确计算功率逆变器损耗模型的方法。通过双脉冲测试对影响 IGBT 开关损耗的参数( Eon
2023-03-06 15:02:511536 IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。
2023-07-07 16:11:303816 
在不同工作频率下的损耗进行了理论计算、PLECS仿真和试验验证对比分析。PLECS仿真和试验验证的结果不仅证明了估算公式的正确性，还直观的体现了SiC和IGBT两类模块在不同开关频率下工作的热损耗趋势。从文中可以看出，使用SiC替 代IGBT可以显著地提高变换器的工作频率和功率密度。
2023-12-14 09:37:05472 
及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方法以供选型时参考。 IGBT 的开关特性主要取决于
2012-07-25 09:49:08
损耗最佳值约为-8～10V。栅极参数对电路的影响 IGBT内部的续流二极管的开关特性也受栅极电阻的影响，并也会限制我们选取栅极阻抗的最小值。IGBT的导通开关速度实质上只能与所用续流二极管反向恢 复
2011-08-17 09:26:02
IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算IGBT的结温Tj，已成为大家普遍关注的焦点。由最基本的计算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，损耗Ploss和热阻Rth(j-a)是Tj计算的关键。
2019-08-13 08:04:18
=P△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的工作结温 P△－损耗功率 Rjc－结－壳热阻vkZ电子资料网 Rcs－壳－散热器热阻 Rsa－散热器－环境热阻 Tjm－IGBT
2011-08-17 09:46:21
一种载流子参与导电，则称为单极性晶体管，如MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）、SBD（肖特基二极管）等。若电子和空穴都参与了导电，则称为双极性晶体管，如BJT（双极结型晶体管）、IGBT等
2023-02-10 15:36:04
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。
2020-03-24 09:01:13
，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低
2012-07-09 14:14:57
）时设计注意事项：如原系统功率模块使用 IGBT，现考虑用 Mosfet 功率模块替换，原系统的驱动设计需注意的事项如下：1.适当减小栅极电阻，以减小开关损耗，以维持相近的温升，同时可进一步降低误导通的可能性
2022-09-16 10:21:27
集电极、发射极击穿或造成栅极、发射极击穿。IGBT保护方法当过流情况出现时，IGBT必须维持在短路安全工作区内。IGBT承受短路的时间与电源电压、栅极驱动电压以及结温有密切关系。为了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
终止IGBT芯片的饱和电压VCEsat都随着结温升高而增加，呈现正温度系数特性。图2为300A沟槽场终止芯片在15V栅极电压条件下不同结温时的饱和电压特性。这表明并联IGBT的静态均流可动态地自我调节
2018-12-03 13:50:08
dv/dt限制，过小的栅极电阻可能会导致震荡甚至造成IGBT或二极管的损坏。 栅极电阻的大小影响开关速度，即后边介绍的开通关断时间，进而影响IGBT的开关损耗，datasheet上驱动电阻对开关损耗
2021-02-23 16:33:11
至关重要。除了软度，IGBT的开关速度还取决于结温。提高结温意味着增大IGBT的软度。不过，必须给出器件在低温条件下（如25 °C）的适当特性。图4显示了在Tvjop=25 °C条件下1200V/150A
2018-12-07 10:23:42
，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在 150oC以下（通常为安全起见，以125oC以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关
2021-08-31 16:56:48
通常流过IGBT的电流较大，开关频率较高，故器件的损耗较大。若热量不能及时散掉，器件的结温将会超过最大值125℃ ，IGBT就可能损坏。因此需采用有效的散热措施对其进行过热保护。 散热一般是采用
2012-06-01 11:04:33
特性相匹配的过电压、过电流、过热等保护电路。 4.4散热设计 取决于IGBT模块所允许的最高结温(Tj),在该温度下，首先要计算出器件产生的损耗，该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。在散热
2012-06-19 11:17:58
详细阅读模块参数数据表，了解模块的各项技术指标;根据模块各项技术参数确定使用方案，计算通态损耗和开关损耗，选择相匹配的散热器及驱动电路。 (二) IGBT模块散热器的使用 1.防止静电 IGBT
2012-06-19 11:20:34
IGBT模块是由哪些模块组成的？IGBT模块有哪些特点？IGBT模块有哪些应用呢？
2021-11-02 07:39:10
是IGBT模块控制的平均电流与电源电压的 乘积。由于IGBT模块散热器是大功率半导体器件，损耗功率使其发热较多，加之IGBT模块散热器的结温不能超过125℃，不宜长期工作在较高温度下，因此要采取恰当
2012-06-19 11:26:00
等设计比较好，就可以使用较低耐压的IGBT模块承受较高的直流母线电压。2、IGBT电流的选择 半导体器件具有温度敏感性，因此，IGBT模块标称电流与温度的关系比较大。随着壳温的上升，IGBT模块可利用
2022-05-10 10:06:52
IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出厂检测的重要设备。该试验系统可对相应的IGBT器件进行适配器匹配。测试标准符合MIL-STD-750，IEC60747。本设备采用计算机自动控制系统
2018-08-29 21:20:11
1、拓扑说明 基于逆变器的拓扑进行IGBT的损耗计算，如下为三相全桥结构带N线的方式。调制方式为SPWM波形，针对IGBT2和DIODE2分析，输出电流为正弦波形，输出电压为电网电压。其中二
2023-02-24 16:47:34
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关
2021-09-09 07:16:43
;——IGBT 集电极与发射极之间的电压;——流过IGBT 集电极－发射极的电流;——IGBT 的结温。如果IGBT 栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT 不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极
2018-10-18 10:53:03
开启IGBT时IGBT的电压与电流有何关系？关断IGBT时IGBT的电压与电流有何关系？
2021-10-14 09:09:20
这里以单个IGBT管为例（内含阻尼二极管），IGBT管的好坏可用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，使IGBT的CE脚在关闭状态下，避免
2012-04-18 16:15:53
`我需要通过LC电路产生一个1200A，2.5KHz的脉冲电流，所加电压500V，电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制，初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16:20
我要做个HCPL316J驱动IGBT的电路，我不懂那个门极电流的峰值怎么计算，还有门极电阻怎么取值！希望赐教！非常感谢！{:soso_e121:}
2012-03-26 10:52:38
想要igbt的相关资料
2023-09-13 19:57:26
谁能仔细阐述一下igbt是什么吗？
2019-08-22 15:20:53
：IKW30N60H3；IKW15N120H3Infineon 其它相关产品请 点击此处 前往了解特性：一流的开关性能：可实现低于500μJ的总开关损耗最高结温：175°C包装类型：PG-TO247-3
2019-06-10 09:23:54
。2传导损耗需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行
2018-08-27 20:50:45
应用。同时，图5中显示了传导损耗在CCM (连续电流模式)、升压PFC电路，125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400 Vdc直流输出电压的工作模式下的比较曲线。图中，MOSFET-IGBT的曲线
2021-06-16 09:21:55
7显示了集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff，其曲线在大多数IGBT数据表中都有提供。这些曲线基于钳位感性电路且测试电压相同，并包含拖尾电流能量损耗。 图2显示了用于测量IGBTEoff的典型
2020-06-28 15:16:35
损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如，FGP20N6S2 SMPS2 IGBT
2018-09-28 14:14:34
。通过优化的高速切换，可以提高门控和降低开关损耗。集成具有低正向电压的软式、快速共包续流二极管，可以节省电路板空间。 安森美半导体TO-247-4L IGBT的目标应用是太阳能逆变器、不间断电源
2020-07-07 08:40:25
, 同时,开关速度不随结温变化。PT 型IGBT 的开关速度则随温度升高而降低。高频工作时可以考虑选择NPT型IGBT。 5 总结 文中介绍的损耗测量分析方法简单而有效, 可以使设计者对IGBT
2018-10-12 17:07:13
图中所示的窄通道，即Lgap所指区域。这样就增加了电子电流流通路径上的电阻，有效抑制了snapback现象，并且比传统RC-IGBT具有更小的下降时间和关断损耗。图7 具有半超结的RC-IGBT图7为
2019-09-26 13:57:29
时的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流过尾电流，因此相应的开关损耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基势垒二极管）的组合与IGBT＋FRD（快速恢复二极管）的关断损耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
BJT的少数载流子有关。图7显示了集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff，其曲线在大多数IGBT数据表中都有提供。 这些曲线基于钳位感性电路且测试电压相同，并包含拖尾电流能量损耗。图2显示了用于测量
2017-04-15 15:48:51
随之上升，从而大幅增加器件的损耗与温升。技能：低饱和压降，正温度系数，125℃工作结温，高鲁棒性正温度系数，利于并联。名号：DLC，KF2C，S4…等等，好像混进了什么奇怪的东西！没写错！S4真的不是
2021-05-26 10:19:23
需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如
2019-03-06 06:30:00
Fullpack和TO247）和芯片面积。最终给出了一组完整的公式，来计算结温。利用本文的结果，设计工程师将能够准确而轻松地计算器件的真实结温。导言对于电子器件原型的评估通常包括对功率晶体管和二极管最大结温
2018-12-05 09:45:16
内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT：RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词* • SiC肖特基势垒二极管（SiC
2022-07-27 10:27:04
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
。 最后，与IGBT相比，功率MOSFET的通态损耗低，尤其是在低电流时更为显着;关断能耗低，但导通能耗较高。加快体硅二极管的反向恢复速度与所用技术工艺有关。 3 意法半导体的电机控制功率开关技术 为
2018-11-20 10:52:44
的功率耗散也不同，各自要求单独计算。此外，每个裸片互相提供热能，故必须顾及到这种交互影响。 本文将阐释怎样测量两个元件的功率耗散，使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。 图1： 贴装在
2018-09-30 16:05:03
Q1。如何计算IGBT栅极电阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 来操作感性开关负载。开关频率：- 在 400Hz 到 1Khz 之间集电极到发射极电压：- 24V。平均最大电流：- 5A。Q2。使用1Kohm电阻会有什么影响？
2023-01-04 09:00:04
我如何计算VIPER37HD / LD的结温 以及频率（60k，115k hz）如何影响结温？
2019-08-05 10:50:11
就功率半导体而言，高规格辅助电源发展中最有前途的方向之一与使用基于硅IGBT和SiC肖特基二极管的“混合”半导体开关有关。肖特基二极管的使用可以大幅降低二极管中功率损耗的频率相关分量，减少IGBT中
2023-02-22 16:53:33
IGBT的工作原理IGBT极性判断IGBT好坏的判断
2021-03-04 07:18:28
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法：
2021-03-11 07:53:26
IGBT和MOS管的区别是什么？IGBT和可控硅的区别有哪些？如何实现IGBT驱动电路的设计？
2021-11-02 08:30:41
△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的工作结温 P△－损耗功率 Rjc－结－壳热阻vkZ电子资料网 Rcs－壳－散热器热阻 Rsa－散热器－环境热阻 Tjm－IGBT的最高结
2011-10-28 15:21:54
通过电流和电压探头以及标准的示波器进行数据记录和获得。在逆变器运行过程中，芯片的结温很少通过实验方法确定。热处理通常是供应商提供典型值或最差值（如IGBT模块和冷却板的热阻）与仿真产生的损耗情况结合
2018-12-07 10:19:13
摘要相对于第二代NPT芯片技术，最新的3.3kV IGBT3系列包含两款优化开关特性的L3和E3芯片，其在开关软度和关断损耗之间实现折衷，以适应不同的应用。最大工作结温可升高至150℃，以便提升输出
2018-12-06 10:05:40
电磁感应加热的原理是什么？有什么方法可以将电磁感应加热应用的IGBT功率损耗降至最低吗？
2021-05-10 06:41:13
之间的E4芯片。表1简要介绍了IGBT4的3个折中点，并指出相应的电流范围。表1表1：英飞凌1200V IGBT4 简介IGBT和二极管的动态损耗为研究和比较这三款芯片在杂散电感范围为23nH至
2018-12-10 10:07:35
上表现为过温。3、IGBT过温，计算寿命，与焊点、材料的热膨胀系数等有关。4、求助上面几个失效模式的分析，也可以大家讨论一下，共同进步
2012-12-19 20:00:59
时，为获得最小导通压降，应选取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，当Uge增加时，导通时集射电压Uce将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中Uge增加，集电极电流Ic也将随之增加，使得IGBT
2016-11-28 23:45:03
时，为获得最小导通压降，应选取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，当Uge增加时，导通时集射电压Uce将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中Uge增加，集电极电流Ic也将随之增加，使得IGBT
2016-10-15 22:47:06
测量功率器件的结温常用二种方法
2021-03-17 07:00:20
和MOSFET的关断损耗差不多。MOSFET开关损耗与温度关系不大，但IGBT每增加100度，损耗增加2倍。 开通损耗IGBT平均比MOSFET略小，而且二者都对温度比较敏感，且呈正温度
2009-05-12 20:44:23
摘要：本文介绍了分立IGBT和二极管的结和塑封料（MC）之间温度差异的总体相关性。我们以引线架背面为基准，通过分立功率器件的相关参数说明这种差异。这些参数包括封装类型（TO220，To220
2018-12-03 13:46:13
芯片在开关损耗和软特性上得到进一步优化。另外它的最高允许工作结温达到了150℃, 比前几代的IGBT提高了25℃，这使得模块的功率密度可以做得更高。众所周知，功率半导体的总损耗主要是由通态损耗
2018-12-03 13:47:57
我的IGBT输出正常，为什么经过了升压变压器后就功率衰减很厉害。IGBT输出有120KW，经过变压器后仅有60KW，查了很久，都没发现这60KW的功率损耗到了哪里？并且就算是损耗，我认为也不会有器件能承受得这60kw的功率，这种是什么情况呢。阻抗匹配吗？
2012-08-15 09:36:35
高压的二极管相串联，但是，串联的二极管引起通态压降的增大，增加了损耗。而RB-IGBT是一种新型的IGBT，具有反向耐压能力，相对于传统串联二极管的模式，减少器件的同时，还降低了通态压降和损耗。两种
2020-12-11 16:54:35
不同，两个裸片的功率耗散也不同，各自要求单独计算。此外，每个裸片互相提供热能，故必须顾及到这种交互影响。 本文将阐释怎样量测两个组件的功率耗散，使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。 功率计算
2018-10-08 14:45:41
的功率耗散也不同，各自要求单独计算。此外，每个裸片互相提供热能，故必须顾及到这种交互影响。 本文将阐释怎样测量两个元件的功率耗散，使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。图1： 贴装在
2014-08-19 15:40:52
感应加热等应用的理想之选。汽车应用是IGBT的另一个增长领域。固有结温高达175°C的分立式器件，是目前某些电动汽车（例如特斯拉电动汽车）的逆变器的组件之一。未来封装技术的进步，以及持续不断的成本改善
2018-12-03 13:47:00
二极管急变的谐振频率所导致的振荡等寄生效应，将产生电磁干扰，这也必须在应用中加以考虑。HS3 IGBT具备低损耗/高输出电流 为分析不同切换频率的装置效能，使用IPOSIM仿真变频器效能。为了能够进行
2018-10-10 16:55:17
IGBT损耗计算和损耗模型研究：器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要。损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的IG
2009-06-20 08:33:53
96 ），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达1
2023-01-10 11:29:08
新型IGBT软开关在应用中的损耗
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。
2010-05-25 09:05:201169 
器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要遥损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的IGBT损耗模型遥对近年来的各种研究
2011-09-01 16:38:4565 针对目前PWM 逆变器中广泛使用的IGBT，提出了一种快速损耗计算方法。该方法只需已知所使用的IGBT 器件在额定状态下的特性参数，就可以快速估算各种条件下的功率损耗。该方法的计算
2011-09-01 16:42:33111 电子资料论文：基于IGBT功率逆变器损耗准建模方法
2016-07-06 15:14:4727 在任何装置中使用IGBT 都会遇到IGBT 的选择及热设计问题。当电压应力和电流应力这2 个直观参数确定之后， 最终需要根据IGBT 在应用条件下的损耗及热循环能力来选定IGBT。通常由于使用条件
2017-09-22 19:19:3730 提出了一种设计变频器散热系统的实用方法，建立了比较准确且实用的变频器中 IGBT（绝缘栅型双极晶体管）模块的通态损耗和开关损耗的计算方法，考虑了温度对各种损耗的影响，采用热阻等效电路法推导得出
2017-10-12 10:55:2423 为精确计算光伏逆变器的IGBT损耗，指导系统热设计，提出了一种IGBT损耗精确计算的实用方法。以可视化的T程计算T具MathCAD为载体，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆变器IGBT实际
2017-12-08 10:36:0264 IGBT 的热计算
2022-11-15 19:55:194 与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-01 09:47:271916 今天作者就帮大家打开这个黑盒子，详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。
2023-02-07 15:32:381759 
IGBT结温估算（算法+模型），多年实际应用，准确度良好 能够同时对IGBT内部6个三极管和6个二极管温度进行估计，并输出其中最热的管子对应温度。 可用于温度保护，降额，提高
2023-02-23 09:45:057 IGBT结温估算
2023-02-23 09:23:148 IGBT结温估算模型。
2023-02-24 10:48:425 开通、导通和关断损耗构成了 IGBT 芯片损耗的总和。关断状态损耗可以忽略不计，不需要计算。为了计算 IGBT 的总功率损耗，须将这三个能量之和乘以开关频率。
2023-03-01 17:52:451204 前边介绍了IGBT/Diode损耗的计算，那么得到了损耗之后，如何转化为温升呢？
2023-05-26 11:24:31860 
学过的基本高等数学知识。今天作者就帮大家打开这个黑盒子，详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。我们先来看一个IGBT的完整工作波形：IGB
2023-01-14 10:05:301070 
功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗
2023-12-05 16:31:25240 
IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
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