2025年全球Micro LED市场规模将达35亿美元

Micro LED市场空间有望进一步打开。

高工产研LED研究所（GGII）预计，随着技术的逐步发展和成本的降低，2025年全球Micro LED市场规模将达35亿美元。2027年有望达到100亿美元大关。

在这个过程中，核心技术的攻破成为Micro LED大规模量产以及成本下降的关键。为此，产业链企业纷纷强化Micro LED技术布局。

12月9日，芯元基宣布公司在其独有的化学剥离Micro LED的技术基础上，成功开发出了晶圆级印章巨量转移工艺，达到了转移芯片位置零偏差。

芯元基成立于2014年，是一家基于第三代半导体氮化镓（GaN）材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。该公司于2021年10月正式进入Micro LED领域，发展至今取得不少突破。

2022年1月，芯元基全屏点亮5μm Micro LED芯片阵列；7月27日，点亮0.12英寸、pitch 3.75μm Micro LED芯片阵列；8月29日，点亮InGaN基红光Micro LED芯片阵列；10月13日，实现0.41英寸单色Micro LED微显示屏视频显示。

今年1月，芯元基实现0.39英寸单色Micro LED显示屏视频显示；5月16日，成功开发出了矩阵车灯用的薄膜Micro LED芯片；7月5日，实现了高良率、高效纯红光倒装结构和正装结构的量子点MiniLED芯片。

技术方面，芯元基已形成了以蓝宝石复合图形衬底技术（DPSS）、晶面辅助侧向外延生长技术、化学剥离蓝宝石衬底技术和晶圆级批量转移技术等为核心的技术体系，该技术的主要应用方向有高端的垂直结构薄膜LED芯片、电子功率器件及Micro LED。

12月11日，外媒也传来消息，韩国首尔国立大学与成均馆大学的研究团队联合开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法，通过该技术研究团队生长出了LED微型阵列，并称作微盘阵列（Microdisks arrays）。

实验结果表明，微盘阵列表现出了优异的结晶度，并可发出平面内方向一致且亮度较强的蓝光。

据悉，研究人员使用金属有机气相外延技术在覆盖有微图案SiO2掩模的石墨烯层上生长GaN微盘。然后将微盘加工成Micro LED，并成功转移到可弯曲基板上。这项研究表明，可通过石墨烯上生长出高质量LED，并将其集成到灵活的Micro LED设备中。

值得注意的是，首尔国立大学的研究团队近年正在深入进行Micro LED技术的研究，并通过与韩国知名显示企业之间的合作，陆续开发出先进的Micro LED制造技术。

此外，近日广东科学院团队也传出最新进展，其研究人员发展了一种简单且具有良好兼容性的图案化方法来制备厚度超过10μm的量子点光转换薄膜，该方法结合了复制成型、等离子蚀刻和转印三种工艺的优势，简称为RM-PE-TP图案化技术。

该技术使用到的量子点聚合物材料制备简单易得，很好地避免了在其他图案化方法中所必需的复杂的量子点表面改性和用料组成等问题。

此外，复制成型的工艺十分有利于得到厚度超过10μm以上的量子点薄膜，且量子点阵列的分辨率和厚度也易于调节。总的来说，整个图案化方法对量子点材料的光学性能基本没有损伤，便于多色量子点图案化的集成，甚至可通过单色集成进一步提高量子点图案的分辨率。

因此，基于上述RM-PE-TP图案化技术，研究团队最终制备出分辨率最高为669 ppi、薄膜厚度最高达19.74μm的图案化量子点聚合物薄膜，并在柔性衬底上得到了大面积高分辨率的量子点厚膜，说明该技术在大规模柔性量子点图案化集成方面具有巨大的应用潜力。

此外，团队还初步验证了将上述量子点聚合物薄膜作为光转换层简单集成到蓝光Micro LED器件来实现光转换应用的可行性，并发现增加量子点薄膜的厚度可以提高光转换的效率。

审核编辑：刘清