充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案可用隔离驱动BTD25350

BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案

BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。

BTD25350功能框图

BTD25350系列产品原边提供禁用管脚DIS和死区时间管脚DT设置，副边提供3种管脚配置：

1、BTD25350MM提供门极米勒钳位功能，以防止米勒电流造成功率器件误导通。

2、BTD25350MS提供独立的开通和关断输出管脚， 可分别独立控制功率器件的开通和关断行为。

3、BTD25350ME对副边的正电源配置欠压保护功能， 确保功率器件可以获得足够的门极开通正电压。

双通道隔离驱动BTD25350产品特点介绍：

•隔离电压高达5000VRMS（SOW-18）@UL1577

•峰值输出电流典型值高达10A

•传输延时低至60ns

•瞬态共模抗扰度（CMTI）典型值为150kV/us

•最高支持开关频率1MHz

•原边电源支持3~20V

•副边电源最高支持33V

•原边副边电源分别支持欠压保护

•输入电平兼容3.3V、5V、15V电平

•SOW-18（宽体）封装，爬电距离8.5mm

•工作环境温度：-40~125℃

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