韩国SKMP开发出高厚度KrF光刻胶，可助力3D NAND闪存制造

sk集团于2020年以400亿韩元收购锦湖石化的电子材料事业后，新成立的子公司sk materials performance （skmp）开发出了得到SK海力士的性能验证的高厚度KrF光刻胶。这将有助于sk海力士开发3d nand闪存技术。

据悉，skmp开发的新型KrF光刻胶的厚度为14至15米，与东进半导体（DONGJIN SEMICHEM）向三星提供的产品相似。日本jsr公司的类似产品厚度只有10微米。

光刻胶的厚度有助于提高3d nand闪存的工艺效率。但是厚度的提高意味着技术难度的提高。因为化学材料的黏着力会使涂层表面变得粗糙。

随着SKMP加入竞争行列，sk海力士可以利用该产品生产238段3d nand闪存。skmp很有可能取代日本jsr的主导地位，成为skmp的主要供应商。

目前，sk海力士238层3d nand闪存晶圆的月生产能力约为5000个，今后有望进一步提高生产能力，带动skmp的光刻胶销售。

sk海力士计划于2025年批量生产1tb容量的tlc 4d nand产品，该产品于2023年8月在世界上首次推出了321层nand闪存试制品。