DDR5实现大幅增长 美光计划明年初大量出货HBM3E
根据11月24日的消息，由于厂商减产的效果逐渐显现，以及特定应用市场的持续强劲需求，2023年第4季度DRAM和NAND闪存的价格正在全面上涨，并有望延续至明年第1季度。
预计2023年第4季度移动DRAM的合约价格将上涨13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合约价格将上涨约10-15%。这种上涨趋势预计将持续至2024年第1季度。
2024年手机市场的一个显著变化是终端人工智能的兴起，包括骁龙8 Gen 3、天玑9300和Exynos 2400等各种芯片组，都将加入人工智能元素。
据行业专家预测，DDR5市场的需求将在价格下降和公司盈利能力持续提高的推动下，大幅增长。
作为一种高附加值的DRAM，DDR5仍然受到各大厂商的青睐。美光最近宣布推出基于1β技术的DDR5内存，速度高达7200 MT/s，标志着其向数据中心和PC市场的转型。
类似于DDR5，HBM作为一种高附加值的DRAM在今年备受关注。在人工智能趋势的推动下，HBM市场的需求激增，各供应商正在不断扩大其产能。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，该公司计划在2024年初开始大量出货HBM3E。
总结，DRAM和NAND闪存的价格正在全面上涨，终端人工智能正成为手机市场的一个重要变化，DDR5市场需求将大幅增长，而HBM市场需求亦在日益增长，供应商正加大其产能以满足市场需求。
审核编辑：黄飞
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