安世半导体热插拔专用ASFET斩获年度功率半导体产品奖

由 AspenCore 主办的 2023 国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）已于 11 月 2 日在深圳顺利举办。

在大会同期举办的 2023 全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）评选中，Nexperia（安世半导体）的 SMD 铜夹片 LFPAK88 封装的热插拔专用 MOSFET (ASFET)荣膺年度功率半导体产品奖（Power Semiconductor / Driver of the year）！安世半导体中国区工业及消费市场业务高级总监李东岳受邀出席并领奖。

奖项介绍

全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，对获奖公司以及个人来说，全球电子成就奖的获得是一项崇高的荣誉，各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。

获奖产品

安世半导体于 2023 年 3 月推出了全新专用 MOSFET（ASFET）系列，专为热插拔应用而设计，该系列产品采用紧凑型 8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区（SOA）的特性。这些 ASFET 提供 80 V 和 100 V 两种型号，兼顾低RDS(on)和强大线性模式性能，非常适合进的电信和计算设备中要求苛刻的热插拔和软启动应用。

与前几代产品相比，Nexperia（安世半导体）的 ASFET 具有增强的 SOA，数据手册中提供了经过全面测试的高温下 SOA 曲线，以及节省空间的尺寸，为热插拔和计算应用提供了优化的解决方案，提供了业界领先的功率密度改进。

到目前为止，适合热插拔和计算应用的 ASFET 通常采用较大尺寸的D2PAK封装（16x10 mm）。LFPAK88 封装是 D2PAK 封装的理想替代选项，空间节省效率高达 60%。

PSMN2R3-100SSE 的 RDS(on)仅为 2.3 mΩ，相较于现有器件至少降低了 40%。LFPAK88 不仅将功率密度提高了 58 倍，还提供两倍的 ID(max)额定电流以及超低热阻和电阻。

Nexperia（安世半导体）还提供采用 5x6 mm LFPAK56E 封装的 25 V、30 V、80 V和100 V ASFET 系列产品，并针对需要更小 PCB 管脚尺寸的低功耗应用进行了优化。

审核编辑：刘清