0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

PMOS和NMOS为什么不能同时打开?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢?

工程师邓生 来源:未知 作者:刘芹 2023-10-23 10:05 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

PMOS和NMOS为什么不能同时打开?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢?

PMOS和NMOS是两种不同的MOSFET(MOS场效应晶体管)。这两种晶体管有着不同的电性质和工作方式,因此不能同时打开。

首先,让我们来了解一下MOSFET的基本工作原理。MOSFET由源、漏和栅电极组成。当栅电极施加一定电压时,会形成一个电场,控制源和漏之间的电阻。如果栅电极施加电压使电场向源电极推进,那么源和漏之间的电阻就会降低,电流也会增加。

在PMOS中,P型半导体为其基底,N型半导体为其源、漏,通常使用P型栅极。而在NMOS中,N型半导体为其基底,P型半导体为其源、漏,通常使用N型栅极。

PMOS和NMOS在工作方式上有所不同。在PMOS中,当栅电极电压为0时,由于P型半导体基底与N型半导体源、漏之间形成PN结,因此PMOS处于导通状态,电流可以通过。但是当栅电极施加正电压时,P型半导体基底与栅电极之间形成反向电场,导致PN结被放大,PMOS处于截止状态,电流不能通过。

因此,当PMOS的栅电极电压为0时,PMOS可被打开,但是当NMOS的栅电极电压为0时,NMOS是不能被打开的。同样地,当NMOS栅电极施加正电压时,NMOS可以被打开,但是PMOS则不能打开。

另一个问题是,为什么PMOS可以背靠背使用,但NMOS不能?这是因为PMOS中,P型半导体基底和源漏区域之间形成了一个N型的互补区域,它可以很好地隔离不同PMOS晶体管的互相干扰。但是,在NMOS中,N型半导体基底和源漏区域之间没有形成互补区域,因此无法背靠背使用。

总之,PMOS和NMOS由于其不同的电性质和工作方式,不能同时打开。同时,在设计电路时,需要注意PMOS可背靠背使用,但是NMOS不可用这种方式。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NMOS
    +关注

    关注

    3

    文章

    398

    浏览量

    36628
  • 晶体管
    +关注

    关注

    78

    文章

    10252

    浏览量

    146284
  • PMOS
    +关注

    关注

    4

    文章

    271

    浏览量

    31446
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    PMOSNMOS 的区别及其在实际应用中的选择

    PMOS(正极性金属氧化物半导体)和NMOS(负极性金属氧化物半导体)是两种基本的MDD辰达半导体的场效应晶体管(FET),它们的结构、工作原理和应用都有显著的差异。理解这两种晶体管的特点以及
    的头像 发表于 11-24 15:56 351次阅读
    <b class='flag-5'>PMOS</b> 和 <b class='flag-5'>NMOS</b> 的区别及其在实际应用中的选择

    为何NMOS负载在电源端,PMOS负载在接地端? #MOS管 #负载 #电源 #电路设计

    NMOS
    微碧半导体VBsemi
    发布于 :2025年09月03日 16:10:47

    一文详解NMOSPMOS晶体管的区别

    在电子世界的晶体管家族中,NMOS(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)与 PMOS(P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)如同一对默契的 “电子开关”,掌控着电路中电流的流动
    的头像 发表于 07-14 17:05 2w次阅读
    一文详解<b class='flag-5'>NMOS</b>与<b class='flag-5'>PMOS</b>晶体管的区别

    机器视觉运动控制一体机在背靠背点胶焊锡机上的应用

    正运动背靠背点胶焊锡机解决方案
    的头像 发表于 05-30 10:35 460次阅读
    机器视觉运动控制一体机在<b class='flag-5'>背靠背</b>点胶焊锡机上的应用

    DCDC BUCK通过加RC Snubber解决EMI辐射超标的仿真和实测数据分析

    电路工作时,电流路径。蓝色线为PMOS打开时的电流路径,红色线为NMOS打开时的电流路径。 从上面结构可以看出,
    发表于 04-27 15:44

    PMOS 控制大容性负载电路如何快速关断? #MOSFET #PMOS #负载电路 #电子

    PMOS
    微碧半导体VBsemi
    发布于 :2025年04月23日 15:34:09

    DC-DC电路设计中加的“自举电容”到底有何讲究?

    通,只需要满足输入的PWM为低电平(0V)即可(Vgs&lt;0)。如果说把上图中的PMOS更换成NMOS?会怎样,如下图所示: 那要想上图中的
    发表于 04-22 10:57

    是否可以将两个PTN3222GMJ设备背靠背连接以制作USB2中继器?

    是否可以将两个 PTN3222GMJ 设备背靠背连接以制作 USB2 中继器。 Connection 将如下所示: 如果这个背靠背中继器是可能的,它是否涉及任何配置或编程?
    发表于 03-28 08:08

    PMOSNMOS的工作原理

    此处以增强型PMOSNMOS为例,通常说的MOS管说的都是增强型MOS管。
    的头像 发表于 03-12 15:31 4131次阅读
    <b class='flag-5'>PMOS</b>与<b class='flag-5'>NMOS</b>的工作原理

    MOS管防反接:Nmos还是Pmos? #科普 #nmos #防反接 #pmos #电子 #mos管

    MOS管
    微碧半导体VBsemi
    发布于 :2025年03月07日 18:03:07

    PMOS做防倒灌和设想的不一样是哪里出了问题

    PMOS做防倒灌,用NMOS控制其栅极,V是12V,L是负载端,空载,结果上图接法直接导通了,非要按下图把N管栅极单独分离,P管的D极才没有电。V端电压调成5V也不行,不知道什么原因,哪位高手请指点
    发表于 03-06 06:14

    MOS管选型的问题

    MOS管选型需考虑沟道类型(NMOSPMOS)、电压、电流、热要求、开关性能及封装,同时需结合电路设计、工作环境及成本,避免混淆NMOSPMOS
    的头像 发表于 02-17 10:50 1349次阅读
    MOS管选型的问题

    NMOS过流保护

    想设计一个NMOS过流自锁保护电路,过流以后NMOS关断,重新加电可恢复,如下图 Q2的集电极总是有7V左右的压降,导致无法拉低NMOS的栅极电压,NMOS无法关断,后面做了修改,如下
    发表于 01-15 18:12

    其利天下技术·NmosPmos的区别及实际应用·无刷电机驱动方案开发

    NMOS(N型金属氧化物半导体)和PMOS(P型金属氧化物半导体)是两种常见的场效应晶体管(MOSFET)类型。它们的主要区别体现在以下几个方面:其利天下技术·无刷电机干衣机驱动方案电流类型和载流子
    的头像 发表于 12-30 15:28 2318次阅读
    其利天下技术·<b class='flag-5'>Nmos</b>和<b class='flag-5'>Pmos</b>的区别及实际应用·无刷电机驱动方案开发

    大功率电路负载电流驱动中,为什么都是用NMOS并联,而不是PMOS

    Part 01 前言 我们都知道,MOSFET按工作模式可以分为PMOS(P沟道金属氧化物半导体)和NMOS(N沟道金属氧化物半导体)晶体管,这些晶体管由四个部分组成:源极 (S) 、漏极 (D
    的头像 发表于 12-11 11:26 3692次阅读
    大功率电路负载电流驱动中,为什么都是用<b class='flag-5'>NMOS</b>并联,而不是<b class='flag-5'>PMOS</b><b class='flag-5'>呢</b>?