10月10日,包头市人民政府与北京世纪金光半导体有限公司在包头市正式签署“年产70万片6-8 英寸碳化硅单晶衬底项目”战略合作协议。
据科创包头透露,该计划将在包头、北京科创基地合作引进计划落地包头市青山区装备制造产业园区总投资34.57亿韩元。建设总事业建设周期将在3年正式启动时,每年要投入能够同时容纳70万6-8英寸单晶衬底生产线的碳化硅芯片和研磨加工和检查等。
北京世纪金色半导体有限公司是宽3代禁止携带半导体功能材料和功率器件开发和生产的企业,创新的解决了高纯碳化硅粉末材料提纯技术,6英寸碳化硅制造技术,高压低导通电阻碳化硅sbd mosfet结构和工艺设计技术等。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
462文章
53535浏览量
459148 -
单晶
+关注
关注
1文章
63浏览量
14481 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
3314浏览量
51717
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
加速!12英寸碳化硅衬底中试线来了!
电子发烧友网综合报道 12英寸碳化硅再迎来跨越式进展!9月26日,晶盛机电宣布,首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,至此,浙江晶瑞SuperSiC真正
12英寸碳化硅衬底,会颠覆AR眼镜行业?
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)今年以来,各家厂商都开始展示出12英寸SiC产品,包括晶锭和衬底,加速推进12英寸SiC的产业化。最近,天成半
重庆首个8英寸MEMS特色芯片全产业链项目“奥松半导体项目”迎来重大进展
7月14日中午,随着首台8英寸生产线光刻机设备被吊车移进位于高新区的重庆奥松半导体特色芯片产业基地(下称“奥松半导体项目”),标志着这一项目全面进入设备安装调试的快车道,也为其顺利达成
12英寸SiC,再添新玩家
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在SiC行业逐步进入8英寸时代后,业界并没有停下脚步,开始投入到12英寸衬底的开发中。 去年11月,天岳先
国内首条8英寸车规级SiC产线正式通线!ST本土化战略再进一步
。 三安光电与ST在2023年6月签署了协议,宣布在重庆合资共同建立一个新的碳化硅器件制造工厂。与此同时,为配套供应衬底材料,三安光电还将在当地独资建立一个8英寸碳化硅
我国首发8英寸氧化镓单晶,半导体产业迎新突破!
2025年3月5日,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)宣布,成功发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。这一重大突破不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域取得了国际领先地位,也为我国
士兰微电子8英寸碳化硅项目封顶
近日,士兰微电子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生产线项目(厦门士兰集宏一期)正式封顶。封顶仪式现场,海沧台商投资区管委会副主任眭国瑜,士兰微电子董事会秘书、高级副总裁陈越,中建
晶盛机电:6-8 英寸碳化硅衬底实现批量出货
端快速实现市场突破,公司8英寸碳化硅外延设备和光学量测设备顺利实现销售,12英寸三轴减薄抛光机拓展至国内头部封装客户,12英寸硅减压外延生长设备实现销售出货并拓展了新客户,相关设备订单
环球晶宣布:6英寸碳化硅衬底价格趋于稳定
近日,环球晶董事长徐秀兰表示,主流6英寸碳化硅(SiC)衬底的价格已经稳定,但市场反弹仍不确定。中国台湾制造商正专注于开发8
第四代半导体新进展:4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
生长4英寸导电型氧化镓单晶仍沿用了细籽晶诱导+锥面放肩技术,籽晶与晶体轴向平行于[010]晶向,可加工4英寸(010)面衬底,适合SBD等高功率器件应用。 在以碳化硅和氮化镓为主的
发表于 02-17 09:13
•1247次阅读
镓仁半导体成功实现VB法4英寸氧化镓单晶导电掺杂
VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂 2025年1月,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功实现4英寸氧化镓
丰田合成开发出8英寸GaN单晶晶圆
近日,日本丰田合成株式会社宣布了一项重大技术突破:成功开发出用于垂直晶体管的200mm(8英寸)氮化镓(GaN)单晶晶圆。
日本开发出用于垂直晶体管的8英寸氮化镓单晶晶圆
1月8日消息,日本丰田合成株式会社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm(8英寸)氮化镓 (GaN)单晶晶圆。 据介绍,与使用采

世纪金光6-8英寸SiC单晶衬底项目签约包头
评论