大功率器件氮化镓芯片系列产品KT65C1R070D、KT65C1R120D

Keep Tops继年初推出KT65C1R200D 等氮化镓功率器件后;最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化镓功率芯片，Keep Tops产品将高性能、高可靠性电流控制PWM开关控制与GaN集成一起，在充电器次级应用中，真正实现一颗芯实现的目的，大大简化120W内小功率充电器的初级设计。

内置650V 耐压功率器件，分别120mΩ的RDS(on) ，芯片采用DFN8X8 封装，并且支持CCM/QR混合模式架构;全电压范围内待机功耗小于65mW。该系列产品也是熙素微电子长期开发GaN器件规划的一部分。在有限的时间、空间内创造出65W、90W、120W充电器通用的氮化镓功率芯片，Keep Tops的研发实力可见一斑。

Keep Tops是一家聚焦于第三代半导体等领域的高科技芯片公司，从电子元器件逐渐延展至精细化工产品的代理销售。多年来我司服务于航天军工、交通轨道、电气设备、数据通讯、光电显示、微电子行业以及半导体等诸多行业，并取得十分显著的成绩及客户的认可。

Keep Tops该系列产品都是基于氮化镓(GaN) 材料开发的高集成芯片，该系列产品中的GaN 包含硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓;根据性能的需要选择世界一流的产品材料和制造工艺，打造出面向高效率高密度应用于开关电源的器件。

KT65C1R070D、KT65C1R120D是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制氮化镓功率芯片，仅需 +11V 非稳压电源输入，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持QR/CCM混合模式，芯片耐压650V，结温220度，专有技术降低 GaNFET开关损耗提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。

在低压输入时会进入CCM模式;在重载情况下，系统工作在QR模式，并采用专有技术，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率。设计人员在快充(PD)等电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

该系列产品的固有优势超越硅MOSFET性能，又具备使用硅MOSFET和常规驱动IC一样的便利性，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。

KT65C1R070D、KT65C1R120D系列产品含专有的氮化镓(GaN)技术，易于开发高效高可靠性开关电源产品，在轻载或空载情况下，系统工作在 BurstMode模式，有效去除音频噪音;同时在该模式下，可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。

审核编辑：汤梓红