点击蓝字关注我们
几年前,设计人员主要依靠基础资料手册和自己掌握的知识来选择元件,并将元件整合到设计中。如今,许多半导体公司已经认识到,为了在越来越短的时间期限内将复杂设计推向市场,设计人员承受着巨大的压力,因此现在需要建立完整的设计支持工具生态系统,助设计人员一臂之力。根据所涉及的技术和制造商,支持工具可能包括评估板/套件、SPICE 模型和仿真工具、参考设计、选型指南、应用手册以及其他有价值的资料。当然,新技术的成熟及其生态系统的扩大都需要时间。大概是因为碳化硅 (SiC)广泛用于可再生能源和电动汽车等新兴的大功率转换应用,许多人仍然将 SiC 视为一种“新”技术,并且认为其支持生态系统很不完善。
01SiC 产品组合对任何生态系统而言,起初最关键的是有多少可用的产品组合。许多人认为,SiC 产品仅限于 MOSFET 和二极管。快速浏览一下安森美 (onsemi) 的 EliteSiC 产品线,就会发现它有 120 多款各种类型的二极管,工作电压最高可达 1,700 V。此外,还有 100 多款 650 V、900 V 和 1,200 V SiC MOSFET,以及 30 多款基于安森美自有 SiC MOSFET 和二极管的功率集成模块 (PIM)。产品线中还包括其他器件,例如至关重要的栅极驱动器(如 NCP51705),用于确保 SiC 器件正常运行并发挥理想性能。


图 2:如何选择 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具
03物料和供应链构建 SiC 器件可能很有挑战性,特别是要保持充分的过程控制以确保高可靠性。只有对晶圆和产品进行全面认证,结合有效的故障分析技术充分理解故障模式,并落实纠正措施计划,才能避免出现问题。安森美基于缜密的设计方法、严格的生产监控、制造控制、适当的筛选和稳健的认证,开发了一套全面的跨功能方法来评估旗下的 SiC 产品,只有通过评估之后才会将产品投放市场。随着汽车和可再生能源等利用 SiC 技术的主要应用的增长,人们开始担忧 SiC 产品的供货问题。这种担忧似乎是基于一个误解,即 SiC 产品难以制造,产能有限。造成这种问题的原因之一在于,SiC 产品制造是一个多阶段过程,通常由不同公司负责不同阶段。然而,安森美是一家具备 SiC 及相关方案端到端供应能力的大型供应商。在美国新罕布什尔州,制造过程从生长单晶 SiC 材料开始,然后生产晶圆衬底,接着生长薄外延层,之后是若干器件加工步骤,最后是封装产品。安森美的整个制造过程采用端到端垂直整合的模式,每个步骤都要进行详尽的可靠性和质量测试,以确保产品几乎零缺陷。

点个星标,茫茫人海也能一眼看到我


原文标题:碳化硅生态系统走向成熟,这三点必须要考虑
文章出处:【微信公众号:安森美】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
安森美
+关注
关注
32文章
1868浏览量
95234
原文标题:碳化硅生态系统走向成熟,这三点必须要考虑
文章出处:【微信号:onsemi-china,微信公众号:安森美】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
探索碳化硅如何改变能源系统
作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成为各行各业提高效率和推动脱碳的基石。碳化硅是高级电力系统的推动剂,可满足全球对可再生能源、电动汽车 (EV
碳化硅器件的应用优势
碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了
SiC碳化硅第三代半导体材料 | 耐高温绝缘材料应用方案
发展最成熟的第三代半导体材料,可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下,碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业,万众瞩目。陶瓷方面,
碳化硅器件选型需要考虑哪些因素
随着全球对能源效率和可持续发展的重视,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在现代电力电子领域获得了广泛关注。SiC器件的高效能、高温耐受性和高频性能,使其在电动汽车、可再生能源、智能电网等应用中成为优选方案。本文将探讨碳化硅器件的主要性能优势,并提供在实际应用中的设计选型指
SiC碳化硅二极管公司成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象
器件能力的企业之所以面临被淘汰的风险,主要源于以下多维度原因: 1. 碳化硅二极管技术门槛低导致市场同质化与价格战 碳化硅二极管(如肖特基二极管)技术相对成熟,结构简单,进入门槛较低。国内众多企业涌入这一领域,导致产能过
碳化硅薄膜沉积技术介绍
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅则以其极低的沉积温度、良好的化学与机械性能以及广泛的应用前景而
碳化硅的耐高温性能
在现代工业中,高性能材料的需求日益增长,特别是在高温环境下。碳化硅作为一种先进的陶瓷材料,因其卓越的耐高温性能而受到广泛关注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一种共价键合的陶瓷材料,具有高硬度
碳化硅与传统硅材料的比较
在半导体技术领域,材料的选择对于器件的性能至关重要。硅(Si)作为最常用的半导体材料,已经有着悠久的历史和成熟的技术。然而,随着电子器件对性能要求的不断提高,碳化硅(SiC)作为一种新型半导体材料
碳化硅在半导体中的作用
碳化硅(SiC)在半导体中扮演着至关重要的角色,其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅在半导体中的主要作用及优势: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
安森美碳化硅应用于栅极的5个步骤
在之前的两篇推文中粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战?5步法应对碳化硅特定挑战,mark~,我们介绍了宽禁带半导体基础知识、碳化硅制造挑战、碳化硅生态系统的不断演进、
安森美在碳化硅半导体生产中的优势
此前的文章“粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战”中,我们讨论了宽禁带半导体基础知识及碳化硅制造挑战,本文为白皮书第二部分,将重点介绍碳化硅生态系统的不断演进及安森美(onsemi)在
什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
发表于 01-04 12:37
青铜剑技术推出全新碳化硅驱动核
近年来,随着碳化硅技术的不断成熟,行业对碳化硅功率器件的应用需求正日益趋向多样化、集成化及轻量化。碳化硅功率器件具有极低的门极电荷与导通阻抗、极高的开关速率以及高耐温等优良特性,使其能

碳化硅生态系统走向成熟,这三点必须要考虑
评论