青铜剑技术推出全新碳化硅驱动核

近年来，随着碳化硅技术的不断成熟，行业对碳化硅功率器件的应用需求正日益趋向多样化、集成化及轻量化。碳化硅功率器件具有极低的门极电荷与导通阻抗、极高的开关速率以及高耐温等优良特性，使其能够高频率地运行。因而采用碳化硅功率器件，有助于整机端降低功率损耗、提高功率密度以及提升转换效率等。

针对碳化硅功率器件的市场需求，青铜剑技术基于光耦隔离驱动方案，设计了一款双通道、紧凑型驱动核2CD0205T12-ABC，可应用于空间有限、中低压和高可靠性领域。

该款碳化硅MOSFET驱动核，因其紧凑、布局灵活与走线友好的特点，能简化客户的外围电路设计，便于客户快速迭代开发、生产、安装及使用。

典型应用领域

储能变流器

产品特点

双通道碳化硅MOSFET驱动核

功率器件最高电压支持1200V

单通道驱动功率2W，峰值电流±5A

适配TO-247封装碳化硅单管

设计紧凑，尺寸为29mm*35mm*11mm（外壳：33.4mm*39.4mm*14mm）

2.0mm排针接口输入/输出

绝缘电压高达5000V

集成隔离DC/DC电源

集成副边电源欠压保护

集成米勒钳位

集成VDS短路保护

集成软关断

集成PWM互锁功能

原理框图

典型外围接线图

产品尺寸图

关键参数

多种门极电压配置型号

短路保护及软关断功能

本驱动核集成的软关断功能，可有效抑制碳化硅MOSFET在发生短路时产生的尖峰电压。2CD0205T12-ABC驱动核内部集成VDSDT检测和软关断功能，当检测到模块进入退保和时，驱动核输出的门极信号在2us内的响应时间后，进入软关断阶段，降低由于过高的短路电流所带来的关断尖峰电压。

高压短路波形

双脉冲测试数据

该驱动核搭配测试底板2AB0205T12-QTJ，匹配B1M032120HC_BASIC单管碳化硅MOSFET测试数据。

青铜剑技术专注于功率器件驱动器、驱动IC、测试设备的研发、生产、销售和服务，产品广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。