0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

历时一年 萌达推出金属粉末包覆工艺二代产品

Big-Bit商务网 来源: 哔哥哔特商务网 作者: 哔哥哔特商务网 2023-08-18 11:20 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

经过一年的艰苦研究,历经上百次试验,萌达终于成功研发出新一代金属粉末包覆技术,使产品在整体性能方面实现了显著的提升,满足了一体成型电感的更高要求!

历时一年,五位核心研发骨干,上百次试验,能否实现新的颠覆?毋庸置疑,萌达的答案是肯定的。

作为一家集先进金属新材料的研究开发、智能制造、市场营销于一体的国家高新技术企业,专精特新中小企业,江苏萌达新材料科技有限公司(简称“萌达”)二十多年来一直专注于先进金属粉末的研究和应用。如今,萌达已发展成为全球粉末冶金,电子储能等行业优质稳定的原材料大型供应商。

今年,萌达研发团队成功研发出铁硅铬合金粉末二代绝缘包覆产品,为高品位一体成型电感的高饱和、高磁导率、低损耗、大功率产品的升级提供了可能。

满足新时期一体成型电感要求

据了解,一体成型电感磁粉芯制备工艺的主要环节包括制粉、绝缘包覆、压制、热处理四个环节。其中,绝缘包覆是直接决定一体成型电感磁性能的关键,它需要在颗粒表面形成均匀、完整且耐高温、绝缘性良好的包覆膜,并能在较大成型压力下不被破坏。

最重要的是,绝缘包覆效果还在一定程度上决定了一体成型电感所需具备的低损耗和高频稳定特性。这主要是因为金属表面绝缘包覆层可以提高一体成型电感磁粉芯电阻率,进而降低粉体间涡流损耗。与此同时,绝缘包覆层可在磁粉芯内形成等效分布式气隙结构,进而引起弛豫频率的增加,有利于一体成型电感磁粉芯高频稳定性的提高。

此前,萌达普遍采用传统的磷化包覆工艺,但这种工艺无法满足粉末的高绝缘阻抗要求,对粉末的直流叠加特性也没有明显改善效果。另外,客户对一体成型电感需求的提高也让萌达开始考虑对包覆工艺进行升级。

萌达总经理赵军喜表示,随着市场的发展,客户端对一体成型电感的绝缘阻抗的要求越来越高,部分客户甚至希望在回流焊接三次后绝缘阻抗仍然能保持0.1GΩ以上,并且,客户对一体成型电感的直流叠加特性也提出了更高期望。为了满足这些新时期一体成型电感的更高要求,萌达坚定地踏上了研发二代高端包覆技术的道路。

研发过程历时一年

为了研发二代技术,萌达先后投入了5位骨干技术研发人员,还积极和院校进行合作,从技术原理上克服了传统一代包覆技术的不足。历经一年的时间,总共试验了上百次,付出了外人难以知晓的努力,萌达才终于成功开发出新一代的包覆技术。

赵军喜自豪地向Big-bit记者详细介绍了萌达二代包覆技术的先进之处:新开发的二代包覆技术从原理设计出发,制备出更为致密且和铁粉具有更强结合力的包覆层,使产品拥有更高的绝缘阻抗,和更优异的直流叠加特性。

“从具体数据来看,上一代包覆工艺的绝缘阻抗一般在1GΩ以内,三次回流焊接后就会降低至0.1GΩ以内,而二代包覆技术的绝缘阻抗一般可以在20GΩ以上,过炉后仍然可以保持在10GΩ以上;直流叠加方面,也能较传统的包覆工艺改善10-20%。”赵军喜进一步解释道。

近几年,萌达的合作客户已经遍布国内大型一体成型电感企业及外资企业。在与各大企业认证战略合作力推下,也有效提升了萌达的产品质量和管理水平。为了保证服务的可靠性,萌达在优化先进包覆技术工艺的同时,在批量生产供应方面也做了详细的规划管理,以保证产品性能和稳定在可控范围内。

赵军喜表示,自从二代包覆产品开发以后,待客户端一体成型电感完成了AEC-Q200的相关可靠性验证后,萌达就马上开始进行小批量供应。随着客户端一体成型电感正常使用超过半年以上,萌达便逐步扩大市场的推广规模。

目前,先进包覆工艺二代产品已得到广泛的市场推广,产品的耐压及高饱和特性得到了客户的一致的好评和认可。

赵军喜也透露了相关产能情况,“仅新二代工艺产品每个月有30吨的批量供应,公司计划在未来全面实施自动化生产智能改造,产能将进一步提升”。

小结:

如今,航天航空、汽车电子云计算,智能驾驶、电池管理通信模块等领域对功率转换器件的要求越来越高,应用也愈加广泛。对于电感产品来说,需要能承受高电压或瞬变,具有更高的耐环境冲击能力和更好的散热性能、更低的损耗。

此次萌达推出的二代绝缘包覆新产品与一代相比,在整体性能方面实现了显著的提升,特别是在大电流和不确定环境下的使用效果方面展现了更高的稳定性和可靠性。相信二代绝缘包覆新产品的出现,也将加速推动大电流电感的发展。

本文为哔哥哔特资讯原创文章,如需转载请在文前注明来源

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电感
    +关注

    关注

    54

    文章

    6295

    浏览量

    106690
  • 回流焊
    +关注

    关注

    14

    文章

    541

    浏览量

    18619
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    6分钟充满,超越二代刀片!宁德时代新一代电池技术亮相

    了第三神行超充电池,从10%到98%只需要6分27秒,从10%到80%仅需要惊人的3分44秒!等效10C,峰值15C的充电功率,充电跟加油同速,在2026真的要成为现实了。   超充电池再领先,凝聚态、钠电池持续迭代   在今年3月,比亚迪的第
    的头像 发表于 04-24 09:53 6994次阅读
    6分钟充满,超越<b class='flag-5'>二代</b>刀片!宁德时代新<b class='flag-5'>一代</b>电池技术亮相

    RZ/G 系列第二代产品:性能强劲的多功能芯片解决方案

    /G2M、RZ/G2N 和 RZ/G2E,凭借其卓越的性能和丰富的功能,成为众多电子工程师的理想选择。下面我们就来详细了解下这些产品的特点和优势。 文件下载: rzg2.pdf 产品概述 RZ/G 系列第
    的头像 发表于 04-01 11:35 451次阅读

    3nm大规模导入光模块:Credo推出二代1.6T光DSP

    电子发烧友网综合报道,在博通推出行业首款3nm光DSP后,Crdeo近日也宣布推出二代Cardinal系列1.6T光DSP产品,同样基于3nm先进
    的头像 发表于 03-27 08:50 9720次阅读

    内孔堆焊激光熔修复加工:重塑工业修复的科技标杆‌

    从高端装备向通用机械领域普及;   材料与工艺创新:纳米复合粉末金属陶瓷复合粉末的研发,进步提升熔覆层的综合性能;而 “激光熔
    发表于 03-24 14:36

    瑞可达重磅推出36PIN二代重卡换电系列连接器

    换电网络加速布局,为助力其快速发展,响应用户心声,提升客户体验感,瑞可达重磅推出36PIN二代重卡换电系列连接器,引领行业应用,提高充电/放电电流、提高应用功率、低成本、高可靠性等重大突破。
    的头像 发表于 03-10 15:00 1250次阅读
    瑞可达重磅<b class='flag-5'>推出</b>36PIN<b class='flag-5'>二代</b>重卡换电系列连接器

    AMD 推出二代 Kintex UltraScale+ 中端FPGA,助力智能高性能系统

    二代AMD Kintex UltraScale+ FPGA 系列 , 对于依赖中端FPGA 为性能关键型系统提供支持的设计人员而言,可谓项重大进步。 这全新系列构建在业经验证的Kintex FPGA
    的头像 发表于 02-04 16:11 6.2w次阅读
    AMD <b class='flag-5'>推出</b>第<b class='flag-5'>二代</b> Kintex UltraScale+ 中端FPGA,助力智能高性能系统

    钨管激光熔修复技术的核心原理及优势

    作为热能来源的先进表面工程技术。它借助激光束,将特定成分的金属粉末,像钨基合金、镍基合金、钴基合金等,与钨管需要修复的表面迅速熔化,实现冶金结合,进而形成层致密且具备耐磨、耐腐蚀特性的熔覆层。这
    发表于 01-14 14:24

    新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代产品,新增75mΩ型号

    新品CoolSiCMOSFET650V第二代产品,新增75mΩ型号CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代沟槽SiCMOSFET技术打造,通过提升性能、增强设计
    的头像 发表于 01-12 17:03 524次阅读
    新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第<b class='flag-5'>二代</b><b class='flag-5'>产品</b>,新增75mΩ型号

    新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    EasyPACK1C1200V13mΩ四单元模块,搭载第二代CoolSiCMOSFET技术,集成NTC温度传感器,采用大电流PressFIT引脚,并预涂2.0导热界面材料。产品型号:■F4
    的头像 发表于 11-24 17:05 1704次阅读
    新品 | 采用.XT扩散焊和第<b class='flag-5'>二代</b>1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    君正T41芯片助力觅睿第二代AOV产品亮相

    在AOV技术发展版图中,觅睿与君正紧密携手,共同绘就了创新画卷。2024,君正推出行业首颗AOV芯片T41,觅睿率先将其技术落地,成为该领域的开拓者。如今,随着君正T32VN规格的发布,觅睿基于此研发的第二代AOV
    的头像 发表于 07-30 13:48 1788次阅读

    面向大功率家电,ST推出二代IH系列1600V IGBT

    电子发烧友网综合报道 最近,意法半导体推出款面向大功率家电应用的第二代IH系列1600V IGBT STGWA30IH160DF2,该器件兼具1600 V的额定击穿电压、优异的热性能和软开关拓扑
    发表于 07-28 07:29 4156次阅读

    类比半导体推出全新第二代高边开关芯片HD80012

    致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出全新第二代高边开关芯片HD80012,单通道低内阻1.2mΩ产品
    的头像 发表于 07-02 15:19 1565次阅读
    类比半导体<b class='flag-5'>推出</b>全新第<b class='flag-5'>二代</b>高边开关芯片HD80012

    AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量产 为嵌入式系统实现单芯片智能

    我们推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,这两款产品是对 Versal 产品
    的头像 发表于 06-11 09:59 2112次阅读

    恩智浦推出二代OrangeBox车规级开发平台

    二代OrangeBox开发平台集成AI功能、后量子加密技术及内置软件定义网络的能力,应对快速演变的信息安全威胁。
    的头像 发表于 05-27 14:25 1678次阅读

    类比半导体推出全新第二代高边开关芯片HD8004

    致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出全新第二代高边开关芯片HD8004,单通道低内阻4.3mΩ产品
    的头像 发表于 05-21 18:04 1514次阅读
    类比半导体<b class='flag-5'>推出</b>全新第<b class='flag-5'>二代</b>高边开关芯片HD8004