快充电源芯片U876X的主要特性

快充电源芯片U876X产品型号有U8765/U8766，推荐最大输出功率分别为65W/100W，集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。

快充电源芯片U876X主要特性：

●集成高压 E-GaN

●集成高压启动功能

●超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW

●谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

●集成 EMI 优化技术

●驱动电流分档配置

●集成 Boost 供电电路

●集成完备的保护功能：

VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)

输出过压保护 (OVP)

输入欠压保护 (BOP)

片内过热保护 (OTP)

逐周期电流限制 (OCP)

异常过流保护 (AOCP)

短路保护 (SCP)

过载保护 (OLP)

过流保护 (SOCP)

前沿消隐 (LEB)

CS 管脚开路保护

●封装类型 ESOP-10W

SHENZHEN YINLIANBAO

快充电源芯片U876X脚位说明：

1 HV P 高压启动管脚

2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚

3 Source P GaN FET 源极引脚

4 GND P 芯片参考地

5 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

6 FB I 系统反馈输入管脚

7 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测

8 VDD P 芯片供电管脚

9 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

10 NC -

EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此快充电源芯片U876X通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流， 进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。U876X 系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。